[发明专利]无电可正常闭合的模拟开关及开关方法

权利要求书

1.一种开关设备，具有信号输入端、第一控制输入端和输出端，所述开关设备包括：

第一晶体管，其包括栅极、漏极和源极，其中，所述第一晶体管的所述漏极被连接到所述信号输入端；

第二晶体管，其包括栅极、漏极和源极，其中，所述第二晶体管的所述漏极被连接到所述第一晶体管的所述源极，并且其中，所述第二晶体管的所述源极被连接到所述第一晶体管的所述栅极；以及

第三晶体管，其包括栅极、漏极和源极，其中，所述第三晶体管的所述漏极被连接到所述信号输入端，其中，所述第三晶体管的所述源极被连接到所述输出端，并且其中，所述第三晶体管的所述栅极被连接到所述第一晶体管的所述源极和所述第二晶体管的所述漏极，

其中，所述开关设备被配置为在所述信号输入端处接收信号，在所述第一控制输入端处未被施加电压的第一状态下在所述输出端处提供所述信号，并且在所述第一控制输入端处被施加有电压的第二状态下将所述信号与所述输出端隔离。

2.根据权利要求1所述的开关设备，包括：

第二控制输入端，其被配置为接收接地信号，

其中，所述第一晶体管的所述栅极被连接到所述第一控制输入端，

其中，所述第二晶体管的所述栅极被连接到所述第二控制输入端，并且

其中，所述第三晶体管的所述源极被连接到所述第一控制输入端。

3.根据权利要求1所述的开关设备，其中，所述开关设备被配置为在所述信号输入端处接收具有高于和低于地电势的分量的模拟信号，并且在所述第一控制输入端处未被施加电压的所述第一状态下在所述输出端处提供所述模拟信号而不在所述输出端处对所述信号进行削波，

其中，所述开关设备被配置为在未向所述开关设备加电的所述第一状态下在所述输出端处提供所述信号，并且

其中，所述开关设备包括所述第一控制输入端，但是不包括单独的电源输入端。

4.根据权利要求1所述的开关设备，其中，所述第一控制输入端被配置为接收负电压以在所述第二状态下将所述信号与所述输出端隔离，并且接收接地信号或浮动信号以在所述第一控制输入端处未被施加电压的所述第一状态下在所述输出端处提供所述信号。

5.根据权利要求1所述的开关设备，包括：

第二控制输入端，

其中，所述第二晶体管的所述栅极被连接到所述第二控制输入端，并且

其中，所述第一控制输入端被配置为接收负电压，并且所述第二控制输入端被配置为当所述输入信号的幅度超过所述第一控制输入端相对于地电势的幅度时接收正电压以在所述第二状态下将所述信号与所述输出端隔离。

6.根据权利要求1所述的开关设备，包括：

第四晶体管，其包括栅极、漏极和源极，其中，所述第四晶体管的所述漏极被连接到所述第一晶体管的所述栅极和所述第二晶体管的所述源极，其中，所述第四晶体管的所述源极被连接到所述第一控制输入端，并且其中，所述第四晶体管的所述栅极被连接到所述第一控制输入端，

其中，所述第一晶体管包括n沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，

其中，所述第二晶体管包括第一n沟道增强型MOSFET，

其中，所述第三晶体管包括n沟道结型场效应晶体管(JFET)，并且

其中，所述第四晶体管包括第二n沟道增强型MOSFET。

7.一种开关方法，包括：

在开关设备的信号输入端处接收信号；

在所述开关设备的第一控制输入端处接收第一控制信号；

在所述第一控制输入端处未被施加电压的第一状态下向所述输出端提供在所述信号输入端处接收到的所述信号；以及

在所述第一控制输入端处被施加有电压的第二状态下将所述信号与所述输出端隔离，

其中，所述开关设备包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，每个晶体管包括栅极、漏极和源极，

其中，所述第一晶体管的所述漏极被连接到所述信号输入端，

其中，所述第二晶体管的所述漏极被连接到所述第一晶体管的所述源极，其中，所述第二晶体管的所述源极被连接到所述第一晶体管的所述栅极，并且

其中，所述第三晶体管的所述漏极被连接到所述信号输入端，其中，所述第三晶体管的所述源极被连接到所述输出端，并且其中，所述第三晶体管的所述栅极被连接到所述第一晶体管的所述源极和所述第二晶体管的所述漏极。