[发明专利]一种多晶硅太阳电池及太阳电池多晶硅片制绒方法

权利要求书

1.一种太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a、提供制造太阳电池所用的多晶硅片；b、将所述多晶硅片传送至喷砂室中进行喷砂制绒；c、对喷砂制绒的多晶硅片进行腐蚀以去除损伤层。

2.按照权利要求1所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，本方法还包括：步骤d、对去除损伤层后的多晶硅片进行清洗。

3.按照权利要求2所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述步骤d包括以下步骤：d0、将去除损伤层后的多晶硅片浸入到碱溶液中进行碱洗，所述碱为氢氧化钾或氢氧化钠，其浓度为1-4mol/L，碱洗时间为20-30S，碱洗温度为15-30℃；d1、将碱洗后的多晶硅片浸入到氢氟酸和盐酸的混合液中进行酸洗，所述氢氟酸浓度为0.5-5mol/L，盐酸浓度为1-8mol/L，酸洗时间为1-20min，酸洗温度为15-30℃。

4.按照权利要求3所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述碱溶液浓度为2-2.5mol/L，碱洗时间为23-28S，碱洗温度为20-25℃；所述氢氟酸浓度为1-4mol/L，盐酸浓度为2-5mol/L，酸洗时间为9-12min，酸洗温度为20-25℃。

5.按照权利要求1所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述喷砂室中制绒用砂为石英砂或碳化硅砂，其粒径为10至100μm。

6.按照权利要求1所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述喷砂室设置有喷嘴，通过喷嘴喷砂来对多晶硅片制绒，所述喷嘴的喷射压力为0.03-0.3MPa。

7.按照权利要求1所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，在步骤c中，通过氧化剂和氢氟酸的混合溶液来去除喷砂制绒后的多晶硅片上的损伤层，所述氧化剂为硝酸或CrO3或K2Cr2O7，所述氧化剂浓度为0.1-10mol/L，所述氢氟酸浓度为0.1-8mol/L，腐蚀时间为20-60S，腐蚀温度为-10℃-30℃。

8.按照权利要求7所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述氧化剂为硝酸，所述氧化剂浓度为3-8mol/L，所述氢氟酸浓度为0.2-1mol/L，腐蚀时间为22-25S，腐蚀温度为0-3℃。

9.按照权利要求1所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述方法在步骤b之前还通过氧化剂和氢氟酸的混合溶液来去除多晶硅片上的损伤层，所述氧化剂为硝酸或CrO3或K2Cr2O7，所述氧化剂浓度为0.1-10mol/L，所述氢氟酸浓度为0.1-8mol/L，腐蚀时间为20-60S，腐蚀温度为-10℃-30℃。

10.按照权利要求9所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述氧化剂为硝酸，所述氧化剂浓度为5-7mol/L，所述氢氟酸浓度为2-3mol/L，腐蚀时间为30-40S，腐蚀温度为3-10℃。

11.按照权利要求1所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述方法在步骤b之前还通过碱腐蚀溶液来去除多晶硅片上的损伤层，碱腐蚀溶液浓度为0.1-10mol/L，碱为氢氧化钠或氢氧化钾，腐蚀时间为5-20min，腐蚀温度为20-90℃。

12.按照权利要求11所述的太阳电池多晶硅片制绒方法，其特征在于，所述碱腐蚀溶液为氢氧化钠溶液，所述碱腐蚀溶液浓度为5-7mol/L，腐蚀时间为8-15min，腐蚀温度为50-80℃。

13.一种通过权利要求1至12任一项所述的太阳电池多晶硅片制绒方法制成的多晶硅太阳电池。