[发明专利]薄膜型熔断器及制造方法有效
申请号: | 201210091843.8 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102623271A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 李向明;汪立无 | 申请(专利权)人: | AEM科技(苏州)股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/041 | 分类号: | H01H85/041;H01H69/02 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;赵艳 |
地址: | 215122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 熔断器 制造 方法 | ||
1.一种薄膜型熔断器,包括
绝缘的基体,该基体具有上表面、下表面、相对的端面;
表面端电极,所述基体的上表面和下表面的两端均设置有所述表面端电极;
其特征在于:该薄膜型熔断器还包括
复合熔丝,该复合熔丝电连接在所述基体上表面的两端所述表面端电极之间,所述复合熔丝包括涂覆在所述基体上表面位于所述两端表面端电极之间的绝缘部位上的纳米导电粉末层、电镀在所述纳米导电粉末层上的金属层;
端面电极,所述基体的相对的端面上均设置有所述端面电极,该端面电极电连接了所述基体上表面和下表面的相应端的所述表面端电极,所述端面电极包括涂覆在所述基体的相应端的端面上的纳米导电粉末层、电镀在该纳米导电粉末层上的金属层;
保护层,该保护层包覆在所述复合熔丝上。
2.根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述基体上表面的两端表面端电极在相对的中间部位上均凸出形成接头,所述复合熔丝的两端分别电连接在所述基体上表面的两端表面端电极的凸出接头上。
3.根据权利要求2所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述接头呈梯形。
4.根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述熔丝呈线形或弧形或呈两端大、中间小的形状。
5.根据权利要求4所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述熔丝的中间部位设置有金属块。
6.根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述端面电极和位于所述基体上表面和下表面上的相应端的表面端电极上镀覆有连续的焊锡层。
7.根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述纳米导电粉末层的导电粉末为纳米银粉或纳米碳粉。
8.根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述金属层的金属为铜、锌或镍。
9. 根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述保护层为感光阻燃油墨层、硅橡胶层、环氧树脂层、水玻璃层或耐火无机粘合剂层。
10. 根据权利要求1所述的薄膜型熔断器,其特征在于:所述基体上表面位于所述两端表面端电极之间的绝缘部位上具有灭弧层,所述复合熔丝的纳米导电粉末层涂覆在所述灭弧层上。
11.制备如权利要求1所述的薄膜型熔断器的方法,其特征在于:依次包括以下步骤:
(1)采用上下表面覆铜片的线路板,通过光刻-化学腐蚀在所述线路板上下表面的铜片上均加工形成表面端电极图案,该表面端电极图案中多条表面端电极条相平行间隔排列,相邻两条所述表面端电极条之间为去除铜片后露出的绝缘部位;
(2)在所述线路板上表面的绝缘部位上涂覆纳米导电粉末,形成纳米导电粉末层;
(3)在所述纳米导电粉末层上电镀金属层,形成复合层;
(4)通过光刻-化学腐蚀在所述复合层上加工形成熔丝图案,该熔丝图案中多条熔丝沿着所述表面端电极条的长度方向间隔排列,每条所述熔丝均电连接在对应的相邻两条所述表面端电极条之间;
(5)在所述熔丝图案上涂覆或印刷保护层,该保护层干燥或固化后,定型;
(6)在所述表面端电极条的中间沿着该表面端电极条的长度方向切割所述线路板,切割出的端面上涂覆纳米导电粉末,形成纳米导电粉末层,然后在该纳米导电粉末层上电镀金属层,形成端面电极条,该端面电极条电连接了所述线路板上下表面对应位置的表面端电极条;
(7)在所述熔丝图案的相邻两条熔丝的中间部位上沿着所述表面端电极条的宽度方向切割所述线路板,得到单个所述薄膜型熔断器。
12. 根据权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤(6)中,在形成所述端面电极条后,在所述端面电极条、所述线路板上下表面对应位置的表面端电极条上电镀形成连续的焊锡层。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤(1)与步骤(6)之间还存在印刷字码和字码保护层的步骤,该印刷字码和字码保护层的步骤包括在所述线路板下表面的绝缘部位上印刷字码,然后在所述字码上涂覆或印刷保护层,该保护层干燥或固化后,定型。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤(2)中,在所述线路板上表面的绝缘部位上先涂覆灭弧材料,然后在所述灭弧材料上涂覆所述纳米导电粉末。
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