[发明专利]立式分批式成膜装置有效
申请号: | 201210091746.9 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102732856A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 远藤笃史;黑川昌毅;入宇田启树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 分批 式成膜 装置 | ||
1.一种立式分批式成膜装置,其用于一并对多个被处理体进行成膜,其特征在于,该立式分批式成膜装置具有:
处理室,其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体,一并对上述多个被处理体进行成膜;
加热装置,其用于对收容在上述处理室内的上述多个被处理体进行加热;
排气机构,其用于对上述处理室的内部进行排气;
收容容器,其用于收容上述处理室;
气体供给机构,其用于向上述收容容器的内部供给处理所使用的气体;
多个气体导入孔,其设于上述处理室的侧壁,用于使上述处理室与上述收容容器相连通,
该立式分批式成膜装置将上述处理所使用的气体经由上述多个气体导入孔以与上述多个被处理体的处理面平行的气流向上述处理室的内部供给,并且在上述处理室内不设定炉内温度梯度就一并对上述多个被处理体进行成膜。
2.根据权利要求1所述的立式分批式成膜装置,其特征在于,
在上述处理室内具有使处理所使用的气体沿着纵向流动的排气通路,
将从上述被处理体的边缘到上述处理室的内壁面的距离中的、上述排气通路以外的部分设为距离d1、上述排气通路的部分设为距离d2时,设定为d1<d2。
3.一种立式分批式成膜装置,其用于一并对多个被处理体进行成膜,其特征在于,
该立式分批式成膜装置具有:
处理室,其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体,一并对上述多个被处理体进行成膜;
加热装置,其用于对收容在上述处理室内的上述多个被处理体进行加热;
收容容器,其用于收容上述处理室;
分隔壁,其用于将上述收容容器的内部划分为气体扩散室与气体排气室;
气体供给机构,其用于向上述气体扩散室供给处理所使用的气体;
多个气体导入孔,其设于上述处理室的侧壁,用于使上述处理室与上述气体扩散室相连通;
排气机构,其用于对上述气体排气室的内部进行排气;
多个气体排气孔,其设于上述处理室的侧壁,用于使上述处理室与上述气体排气室相连通,
该立式分批式成膜装置将上述处理所使用的气体经由上述多个气体导入孔以与上述多个被处理体的处理面平行的气流向上述处理室的内部供给,并且在上述处理室内不设定炉内温度梯度就一并对上述多个被处理体进行成膜。
4.一种立式分批式成膜装置,其用于一并对多个被处理体进行成膜,其特征在于,
该立式分批式成膜装置具有:
处理室,其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体,一并对上述多个被处理体进行成膜;
加热装置,其用于对收容在上述处理室内的上述多个被处理体进行加热;
收容容器,其用于收容上述处理室;
管道,其形成于上述收容容器与上述处理室之间的空间的一部分,用于在上述收容容器与上述处理室之间的空间内划分出气体排气室,并且在上述收容容器的内部形成气体扩散室;
气体供给机构,其用于向上述气体扩散室供给处理所使用的气体;
气体供给孔,其设于上述管道的侧壁;
多个气体导入孔,其设于上述处理室的侧壁,经由上述气体供给孔使上述处理室与上述气体扩散室相连通;
排气机构,其用于对上述气体排气室的内部进行排气;
多个气体排气孔,其设于上述处理室的侧壁,用于使上述处理室与上述气体排气室相连通。
5.根据权利要求4所述的立式分批式成膜装置,其特征在于,
上述管道能够拆卸地固定于上述收容容器,并未固定于上述处理室。
6.根据权利要求5所述的立式分批式成膜装置,其特征在于,
上述管道以与上述处理室之间存在间隙的方式面对上述处理室。
7.根据权利要求6所述的立式分批式成膜装置,其特征在于,
上述间隙的传导性比上述多个气体导入孔的传导性小。
8.根据权利要求4所述的立式分批式成膜装置,其特征在于,
将上述处理所使用的气体经由上述多个气体导入孔以与上述多个被处理体的处理面平行的气流向上述处理室的内部供给,并且在上述处理室内不设定炉内温度梯度就一并对上述多个被处理体进行成膜。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的