[发明专利]表面增强拉曼散射基底及其制备方法

权利要求书

1.一种表面增强拉曼散射基底，包括硅基材和设置于所述硅基材上的化学修饰层，所述化学修饰层包括：

亲水硅烷化合物层和包围所述亲水硅烷化合物层的疏水硅烷化合物层，所述亲水硅烷化合物层的面积小于7.5mm²；

所述亲水硅烷化合物层上设置有单层金属纳米粒子层。

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述亲水硅烷化合物层为直径小于等于3.0mm的圆，其圆心与所述硅基材的中心点重合。

3.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述亲水硅烷化合物为氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷或3-脲丙基三乙氧基硅烷。

4.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述金属纳米粒子为银纳米粒子、金纳米粒子或铜纳米粒子。

5.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述疏水硅烷化合物层包括第一疏水硅烷化合物和第二疏水硅烷化合物；

所述第一疏水硅烷化合物为十八烷基三氯硅烷或十七氟癸基三乙氧基硅烷；

所述第二疏水硅烷化合物为n-丙基三甲氧基硅烷、n-丙基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷或丙基三乙酰氧基硅烷。

6.根据权利要求5所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述第一疏水硅烷化合物为十八烷基三氯硅烷；

所述第二疏水硅烷化合物为n-丙基三甲氧基硅烷。

7.一种权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，包括以下步骤：

a)以模板为掩膜层对硅基材进行第一光刻蚀后采用疏水硅烷化合物进行修饰，得到包含疏水硅烷化合物层的硅基材；

b)对所述步骤a)得到的硅基材进行第二光刻蚀曝光后采用亲水硅烷化合物进行修饰，，得到包含亲水硅烷化合物层和疏水硅烷化合物层的硅基材，所述疏水硅烷化合物层包围所述亲水硅烷化合物层，所述亲水硅烷化合物层的面积小于7.5mm²；

c)在所述步骤b)得到的硅基材的亲水硅烷化合物层上进行金属纳米粒子沉积，得到表面增强拉曼散射基底。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，模板

所述模板为直径小于等于3.0mm的圆。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻蚀的时间为1分钟～5分钟。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第二光刻蚀的时间为20秒～1分钟。