[发明专利]硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置

权利要求书

1.一种硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，其为在基板上层叠硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜所述硅氮化物膜的气体中添加硼。

2.一种硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，其为在基板上层叠硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，

(1)将用于形成所述硅氧化物膜和所述硅氮化物膜的层叠膜的多个基板以保持这些基板各自的侧部的状态容纳到处理室中，

(2)在成膜所述硅氧化物膜时，向所述处理室中供给硅氧化物原料气体和氧化剂，

(3)在成膜所述硅氮化物膜时，向所述处理室中供给硅原料气体、氮化剂和含硼气体，

(4)重复所述(2)的步骤和所述(3)的步骤，在所述多个基板各自的表面和背面上形成所述硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠膜。

3.根据权利要求2所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，成膜所述硅氧化物膜时的成膜温度与成膜所述硅氮化物膜时的成膜温度的温度差在50℃～150℃的范围。

4.根据权利要求2所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，成膜所述硅氧化物膜时的成膜温度与成膜所述硅氮化物膜时的成膜温度相同。

5.根据权利要求2所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，所述含硼气体为三氯化硼。

6.根据权利要求2所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，所述硅原料气体为二氯硅烷，所述氮化剂为氨。

7.根据权利要求1所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，所述硅氮化物膜是由Si_aB_bN_c形成的膜，所述Si_aB_bN_c的原子组成比被控制在a＝25～17原子％、b＝22～32原子％、c＝53～51原子％的范围。

8.根据权利要求7所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，

所述基板是硅晶片，

所述由Si_aB_bN_c形成的膜赋予所述硅晶片的应力被控制在100～600MPa的范围。

9.根据权利要求1所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，所述硅氮化物膜是所含的硅原子数比硼原子数少的SiBN膜。

10.根据权利要求9所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，

所述硅氮化物膜是由Si_aB_bN_c形成的膜，

所述Si_aB_bN_c的原子组成比被控制在a＝20～17原子％、b＝28～32原子％、c＝52～51原子％的范围。

11.根据权利要求10所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，

所述基板是硅晶片，

所述由Si_aB_bN_c形成的膜赋予所述硅晶片的应力被控制在100～300MPa的范围。

12.根据权利要求1所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，所述硅氮化物膜是所含的硅原子数不少于硼原子数的SiBN膜。

13.根据权利要求12所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，

所述硅氮化物膜是由Si_aB_bN_c形成的膜，

所述Si_aB_bN_c的原子组成比被控制在a＝25～24原子％、b＝22～24原子％、c＝53～52原子％的范围。

14.根据权利要求13所述的硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，

所述基板是硅晶片，

所述由Si_aB_bN_c形成的膜的浊度水平被控制在0.005～0.01ppm的范围。