[发明专利]LD阵列多侧面泵浦激光器无效
| 申请号： | 201210090471.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623879A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘世文 | 申请（专利权）人： | 刘世文 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/131 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ld 阵列 侧面 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于材料微细加工的激光器，包括直流源、半导体激光二极管阵列和Nd:YAG晶体，其中，直流源用于驱动所述半导体激光二极管阵列，其特征在于：还包括控制器，用于控制所述直流源的输出电流值，工作时，通过所述控制器控制所述直流源的输出电流值以控制所述半导体激光二极管阵列的发光的强度，最终控制激光器的输出能量大小。
2.如权利要求1所述的激光器，其特征在于：所述控制器采用MOSFET控制管，所述半导体激光二极管阵列作为负载串联在MOSFET控制管的漏极上，通过控制所述MOSFET控制管的栅源电压来控制输出电流。
3.如权利要求2所述的激光器，其特征在于：所述激光器还包括继电器保护电路，用于保护半导体激光二极管阵列。
4.如权利要求3所述的激光器，其特征在于：所述继电器保护电路还包括预置负载，所述输出电流在所述预置负载与半导体激光二极管阵列之间相互切换。
5.如权利要求4所述的激光器，其特征在于：所述控制器能控制所述直流源，使其输出0A至73A的电流。
6.如权利要求5所述的激光器，其特征在于：所述直流源还接有时钟单元，用于输送外部时钟信号触发所述直流源。
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