[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201210090356.X | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103367388A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李竣凯;苏信远;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 518109 中国广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器,且特别涉及一种具有相位偏移层和金属层的有机发光二极管显示器。
背景技术
随着显示科技的进步,有机发光二极管显示器与液晶显示器等各式显示器快速的发展,并且对于其功能与特性的要求也与日俱增。有机发光二极管显示器已成为显示科技的研究重点之一。有机发光二极管显示器的结构中具有反射电极以增加发光,但是当外界环境光照射时,反射电极会像一面镜子一样,将环境光反射,因而造成可读性降低。现有技术中,于有机发光二极管显示器上使用偏光片以降低环境光的反射时,又会造成显示相对亮度降低。因此,如何提供一种维持相对亮度且能降低环境光反射的有机发光二极管显示器,为相关业者努力的课题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器,通过入射的环境光通过设置在电极上的金属层和相位偏移层,以达到降低环境光的反射,提高显示器的品质。
为达上述目的,根据本发明,提出一种有机发光二极管显示器,包括一第一电极层、一第二电极层、一电致发光体、一相位偏移层及一金属层。电致发光体设置于第一电极层之上,第二电极层设置于电致发光体之上,相位偏移层具有一第一表面及相对于第一表面的一第二表面,该第二电极层设置于该第二表面侧。金属层设置于相位偏移层的第一表面之上。其中一环境入射光从金属层的表面入射,环境入射光在第一表面产生一第一反射光,环境入射光在第二表面产生一第二反射光,第一反射光与第二反射光具有相位差。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明一实施例的一种有机发光二极管显示器的示意图;
图2为本发明另一实施例的一种有机发光二极管显示器的示意图;
图3为本发明又一实施例的一种有机发光二极管显示器的示意图;
图4为本发明更一实施例的一种有机发光二极管显示器的示意图。
主要元件符号说明
100、200、300、400:有机发光二极管显示器
100a:显示面
110:第一电极层
120:第二电极层
130:电致发光体
140:相位偏移层
140a:第一表面
140b:第二表面
150:金属层
160、260、360、460:基板
170、270、370、470:驱动元件
171:半导体层
173:栅极层
175:源极和漏极层
177:缓冲层
179:平坦化层
L:环境入射光
R1:第一反射光
R2:第二反射光
A:箭头
具体实施方式
以下实施例提出一种有机发光二极管显示器,通过入射的环境光通过设置在电极上的金属层和相位偏移层,以达到降低环境光的反射,提高显示器的品质。然而,实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用,并非对本发明欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些步骤加以修饰或变化。
图1绘示依照本发明一实施例的一种有机发光二极管显示器的示意图。请参照图1。有机发光二极管显示器100包括第一电极层110、第二电极层120、电致发光体130、相位偏移层140及金属层150。电致发光体130设置于第一电极层110之上,第二电极层120设置于电致发光体130之上,相位偏移层140具有第一表面140a及相对于第一表面140a的第二表面140b,该第二电极层设置于该第二表面侧,金属层150设置于相位偏移层140的第一表面140a之上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司,未经群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210090356.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种绣珠送料装置
- 下一篇:一种用于罗拉车的内置直驱机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的