[发明专利]一种防止铝垫腐蚀的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种防止铝垫腐蚀的方法。

背景技术

由于客户需求的改变，或者后续封装测试条件的变更，制造完的晶片难免需要长时间的保存在库房中，如图1所示，为目前铝垫制造到晶片出货工艺流程示意图，其工艺步骤依次为，对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货。这就导致铝垫有可能受到水汽或者卤素等因素的影响而发生腐蚀。而一旦铝垫发生腐蚀现象，意味着晶片有了可靠性的问题。显然，无论对于制造商还是客户，铝垫腐蚀产生的危害（例如晶片交期延误，回追潜在风险晶片等）都是巨大的。

发明内容

发明公开了一种防止铝垫腐蚀的新方法。用以解决现有技术中铝垫存放时间较长会受到水汽或者卤素等因素的影响而发生腐蚀的问题。

为实现上述目的，发明采用的技术方案是：

一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货，其中，还包括工艺步骤为，在晶片允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积以及等离子体灰化和清洗。

上述的方法，其中，所述无定形碳淀积的淀积方式为等离子体增强化学气相沉积。

上述的方法，其中，所述无定形碳淀积的厚度为200至1000A。

本发明中一种防止铝垫腐蚀的新方法，采用了如上方案具有以下效果：

1、有效地通过对铝垫进行无定形碳淀积以防止铝垫受到水汽与卤素等因素的影响；

2、同时大大的延长了晶片的保存时间。

附图说明

通过阅读参照如下附图对非限制性实施例所作的详细描述，发明的其它特征，目的和优点将会变得更明显。

图1为铝垫制造到晶片出货工艺流程的示意图；

图2为一种防止铝垫腐蚀的新方法的工艺流程示意图；

图3为一种防止铝垫腐蚀的新方法的无定形碳淀积的示意图。

具体实施方式

为了使发明实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本发明。

如图2、3所示，一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片1允收测试；目检；出货，其中，还包括工艺步骤为，在晶片1允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积2以及等离子体灰化和清洗，进一步的，在当晶片1进行过无定形碳淀积2之后直接放入储存库进行对晶片1的储存，当需要出货的时候再对晶片1进行等离子体灰化和清洗，更进一步的，清洗的方式为湿法清洗。

在本发明的具体实施例中，无定形碳淀积2的淀积方式为等离子体增强化学气相沉积。

在本发明的具体实施例中，无定形碳淀积2的厚度为200至1000A，进一步的，是为了能够有效的隔绝铝垫与外界水汽等因素的影响，防止腐蚀的发生。

在本发明的工艺步骤具体实施例中，对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片1允收测试；对铝垫进行无定形碳淀积2；入库存放；出库；对晶片1进行等离子体灰化和清洗；目检；出货，更进一步的，如果在晶片1允收测试之后需要及时出货的时候中间可以省去对铝垫进行无定形碳淀积2；入库存放；出库；对晶片1进行等离子体灰化和清洗。

综上所述，发明一种防止铝垫腐蚀的新方法，有效地通过对铝垫进行无定形碳淀积以防止铝垫受到水汽与卤素等因素的影响，同时大大的延长了晶片的保存时间。

以上对发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响发明的实质内容。