[发明专利]阵列基板结构、阵列基板结构的制造方法与显示面板

说明书

技术领域

本发明是有关于一种阵列基板结构与显示面板及其制造方法，且特别是有关于一种包括两个以上介电层及一个电极层的阵列基板结构与显示面板及其制造方法。

背景技术

水平电场切换(in-plane-switching，IPS)显示面板借着水平方式施加电场，使液晶分子平行于基板扭转运动，而达到增广显示视角，且大幅改善扭曲向列型(twisted nematic，TN)液晶屏幕的色差问题。

为了以水平方式施加电场于液晶分子，水平电场切换显示面板具有水平电极结构，水平电极结构与薄膜晶体管以接触孔电性连通。然而，现有的工艺存在工艺步骤过多的问题，造成成品率降低，且整体尺寸无法缩减。在水平电场切换显示面板的发展上，研究人员仍致力于此方向的研发与改良。

发明内容

本发明是有关于一种阵列基板结构与显示面板及其制造方法。通过刻蚀第一介电材料层和第二介电材料层形成一个凹槽，以达到提高工艺成品率，简化工艺步骤，以及缩减整体尺寸的效果。

根据本发明的一方面，提出一种阵列基板结构。阵列基板结构包括一第一基板、多个薄膜晶体管、一第一介电层、一第二介电层以及一第二电极层。各个薄膜晶体管具有一图案化的第一电极层，第一介电层设置于第一电极层之上，第一介电层具有一第一贯穿孔。第二介电层设置于第一介电层上，第二介电层具有一第二贯穿孔，第二贯穿孔连通于第一贯穿孔，第一贯穿孔和第二贯穿孔形成一凹槽。第二电极层经由第一贯穿孔与第二贯穿孔而与第一电极层电性耦接。

根据本发明的另一方面，提出一种显示面板。显示面板包括一阵列基板结构、一第二基板以及一液晶层，而第二基板并具有一滤光层。阵列基板结构包括一第一基板、多个薄膜晶体管、一第一介电层、一第二介电层以及一第一电极层。薄膜晶体管设置于第一基板上。各个薄膜晶体管具有一图案化的第一电极层，第一介电层设置于第一电极层之上，第一介电层具有一第一贯穿孔。第二介电层设置于第一介电层上，第二介电层具有一第二贯穿孔，第二贯穿孔连通于第一贯穿孔，第一贯穿孔和第二贯穿孔形成一凹槽。第二电极层设置于第二介电层上及凹槽的一底部及一侧壁。第二基板上并设有滤光层再与阵列基板结构对组，其中，液晶层并设置于阵列基板结构与第二基板之间。

根据本发明的再一方面，提出一种阵列基板结构的制造方法。阵列基板结构的制造方法包括：提供一第一基板；形成多个薄膜晶体管于第一基板之上，薄膜晶体管顶部并形成一图案化的第一电极层；形成一第一介电材料层于该第一电极层上；形成一第二介电材料层于第一介电材料层上；提供一光阻层于第二介电材料层上；以光阻层为遮罩刻蚀第一介电材料层和第二介电材料层，以形成一第一介电层和一第二介电层，其中第一介电层具有一第一贯穿孔，第二介电层具有一第二贯穿孔，第二贯穿孔连通于第一贯穿孔，第一贯穿孔和第二贯穿孔形成一凹槽；以及形成一第二电极层于第二介电层上，并经由第一贯穿孔与第二贯穿孔所形成的凹槽而与第一电极层电性耦接。

本发明所提供的技术方案是通过刻蚀第一介电材料层和第二介电材料层形成一个凹槽，以达到提高工艺成品率，简化工艺步骤，以及缩减整体尺寸的效果。

附图说明

图1绘示依照本发明的一实施例的阵列基板结构的剖面示意图。

图2A绘示依照本发明的另一实施例的阵列基板结构的俯视图。

图2B绘示图2A的阵列基板结构沿A-A’剖面线的剖面示意图。

图3绘示依照本发明的再一实施例的阵列基板结构的剖面示意图。

图4绘示依照本发明的一实施例的显示面板的剖面示意图。

图5A、图5B、图5C、图5D至图5E绘示依照本发明的一实施例的一种阵列基板结构的制造方法示意图。

附图标号：

100、100’、100”：阵列基板结构

110：第一基板

120：第一介电层

120a：第一贯穿孔

130：第二介电层

130a：第二贯穿孔

140：第二电极层

150：凹槽

150a：底部

150b：侧壁

160：第三电极层

170：第三介电层

170a：第三贯穿孔

200：显示面板

280：薄膜晶体管

282：第一电极层

290：液晶层

295：第二基板

520：第一介电材料层

530：第二介电材料层