[发明专利]双载子反相器组件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种双载子反相器组件结构，其特征在于，包括：

一闸极，配置于一基板上；

二第一电极，配置于所述基板上、位于所述闸极的两侧且位于一第一平面；

二第二电极，配置于所述基板上、位于所述闸极的两侧且位于一第二平面，其中所述第一电极其中一个与所述第二电极其中一个电性连接；

一双极性半导体层，配置于所述第一平面与所述第二平面之间；

一第一载子阻挡层，配置于所述双极性半导体层与所述第一电极之间；

一第二载子阻挡层，配置于所述双极性半导体层与所述第二电极之间；以及

一介电层，配置于所述闸极及所述第二电极之间。

2.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极位于所述闸极下方。

3.如权利要求2所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一平面低于所述第二平面。

4.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极位于所述闸极上方。

5.如权利要求4所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一平面高于所述第二平面。

6.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由N型有机半导体材料与P型有机半导体材料堆叠所组成。

7.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由N型有机半导体材料与P型有机半导体材料混合所组成。

8.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由具双极特性的有机半导体材料所组成。

9.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由N型无机半导体材料与P型无机半导体材料堆叠所组成。

10.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一载子阻挡层为电子阻挡层，所述第二载子阻挡层为空穴阻挡层；或所述第一载 子阻挡层为空穴阻挡层，所述第二载子阻挡层为电子阻挡层。

11.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一载子阻挡层或所述第二载子阻挡层为一电子阻挡层时，所述电子阻挡层是由一无机材料或一有机材料所组成。

12.如权利要求11所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述无机材料包括WO₃、V₂O₅或MoO₃。

13.如权利要求11所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述有机材料包括4’，4”-参(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1’-联苯-4-羟基)铝。

14.如权利要求1所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述第一载子阻挡层或所述第二载子阻挡层为一空穴阻挡层时，所述空穴阻挡层是由一无机材料或一有机材料所组成。

15.如权利要求14所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述无机材料包括LiF、CsF或TiO₂。

16.如权利要求14所述的双载子反相器组件结构，其特征在于，所述有机材料包括2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉。

17.一种双载子反相器组件结构的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成二第一电极；

于所述基板上依序形成一第一载子阻挡材料层、一双极性半导体材料层及一第二载子阻挡材料层，以覆盖所述第一电极；

将所述第一载子阻挡材料层、所述双极性半导体材料层及所述第二载子阻挡材料层图案化，以形成裸露出一个第一电极的一部分的一堆叠结构；

于所述基板上形成二第二电极，其中所述第一电极其中一个与所述第二电极其中一个电性连接；

于所述基底上形成一介电层，以覆盖所述堆叠结构及所述第二电极；以及

于所述第二电极之间的所述介电层上形成一闸极。