[发明专利]存储器的制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，包括：

提供一基底，该基底包括一有源区与一周边区；

于该基底上形成一第一导体层；

于该第一导体层上形成一罩幕图案，该罩幕图案包括位于该有源区的一第一线形图案与位于该周边区的一ㄩ字形图案，该ㄩ字形图案具有一第二线形图案、一第三线形图案以及一第四线形图案，其中该第二线形图案及该第三线形图案与该第四线形图案的两端连接，使该第二线形图案、该第三线形图案以及该第四线形图案形成一第一开口，该第一线形图案的末端与该ㄩ字形图案的该第二线形图案的末端以外的位置连接；

对该罩幕图案实施修整工艺，以缩小该第一线形图案、该第二线形图案、该第三线形图案以及该第四线形图案的线宽；

于该罩幕图案的侧壁上自行对准地形成一绝缘图案，该绝缘图案填满该第一开口；

移除该罩幕图案，使该绝缘图案具有暴露出部分该第一导体层的一沟槽，该沟槽的轮廓对应于该罩幕图案的轮廓；

移除部分该绝缘图案，使绝缘图案具有一第二开口，该第二开口与该沟槽连通；

以该绝缘图案为罩幕，图案化该第一导体层，以分别于该有源区与该周边区形成一第一导体图案与一第二导体图案；

移除该绝缘图案；

于该基底上形成一介电层，该介电层位于该第一导体图案与该第二导体图案之间；以及

于该介电层上形成与该第二导体图案电性连接的一第三导体图案。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该绝缘图案包括一第一部分与一第二部分，该第一部分围绕该罩幕图案，该第二部分填满该第一开口，其中该第一部分与该第二部分连接且该第一部分环绕该第二部分。

3.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其中该第一部分包括一第一子部分、一第二子部分以及一第三子部分，其中该第二子部分连接该第一子部分与该第三子部分，该第一子部分与该第二部分连接。

4.如权利要求3所述的存储器的制造方法，其中移除部分该绝缘图案的步骤包括：

移除该第一部分中未与该第二部分连接的一部分，使该第一部分包括分离的两个部分，其中该第二部分经由该第二开口暴露于外。

5.如权利要求4所述的存储器的制造方法，其中移除部分该绝缘图案的步骤包括：

移除该第一部分中的该第二子部分，使得该第一子部分与该第三子部分分离，且该第二部分经由第二开口暴露于外。

6.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其中形成该第三导体图案的方法包括：

于该介电层上形成一第二导体层，该第二导体层覆盖该介电层、该第一导体图案以及该第二导体图案；

于该第二导体层上形成一光阻图案，其中该光阻图案与该第二导体图案重叠；以及

以该光阻图案为罩幕，图案化该第二导体层，以形成该第三导体图案。

7.如权利要求6所述的存储器的制造方法，该光阻图案的形成位置至少对应于该绝缘图案的该第二部分的位置。

8.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第一导体图案与该第二导体图案的材料包括钨。

9.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第三导体图案的材料包括铝。

10.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第一导体图案的线宽介于25nm至42nm。

11.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第一导体图案的线宽为该第二导体图案的线宽的两倍。