[发明专利]发光二极管制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：

提供一衬底，并在所述衬底的一侧形成一磊晶层；

沿所述磊晶层的厚度方向进行蚀刻，使所述磊晶层形成若干晶粒，相邻的晶粒之间形成一贯穿的沟槽；

提供若干电绝缘的隔离柱，将所述隔离柱放置在相应的沟槽中，并使其连接相邻的晶粒；

在每一晶粒远离衬底的一侧表面上形成一阻障保护层；

在每一阻障保护层远离衬底的一侧表面涂设一锡膏层；

对所述晶粒进行回流焊，使所述每一晶粒的锡膏层形成锡球；

除去衬底并将晶粒放入溶液中浸泡至隔离柱消溶；

提供若干金属片体，并通过焊接将这些片体分别焊接在对应晶粒的锡球上。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述隔离柱的下端填满相应的沟槽，其上端超出所述晶粒远离所述衬底的一端。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：每一隔离柱为绝缘负光阻的树脂材料。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述回流焊的温度控制在180~250℃。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：用于消溶所述隔离柱的溶液为碱性溶液或酸性溶液。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述溶液消溶所述隔离柱的反应温度为100℃。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述金属片体与所述晶粒的焊接温度为300℃。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述阻障保护层为通过电镀的方式形成于所述晶粒上的镍层。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：在涂设锡膏层于晶粒之前，进一步包括如下步骤：

提供一开设有若干穿孔的挡板，并将这一挡板放置在所述晶粒的上方，此时，所述挡板的穿孔正对每一晶粒的远离衬底一侧的上表面，其它部分分别遮盖隔离柱远离衬底的顶面及磊晶层的周缘，然后在每一晶粒的上表面上涂设一锡膏层后去除挡板。

10.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述磊晶层包括贴设于衬底的一N型氮化镓层、贴设于N型氮化镓层上方的一有源层及贴设于有源层上方的一P型氮化镓层。