[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管晶粒结构，还涉及一种发光二极管晶粒的制造方法。

背景技术

半导体发光二极管的发展已有数十年历史，其发光效率的改善一直为发光二极管的关键技术。因此，多年来发光二极管的发展方向仍然致力于发光效率的提升上，发光效率的影响因素一般包括选用的半导体材料、组件结构的设计、透明度及全反射现象。

现有技术中的发光二极管晶粒通常在发光结构的上层形成透明导电层以改善电流扩散效果，有些还进一步在透明导电层表面形成透明保护层，以进一步保护晶粒的各项特性。然而不论是透明保护层还是透明导电层，由于其材质特性，发光结构发射出的光线射向出光面时常常会因为全反射而降低整个发光二极管晶粒的光萃取效率。如何提高发光二极管晶粒的光萃取效率一直是业界关注的问题。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种提高光萃取效率的发光二极管晶粒及其制造方法。

一种发光二极管晶粒，包括发光结构、形成于发光结构上的透明导电层、以及第一电极和第二电极，所述透明导电层上形成有透明保护层，该透明保护层上形成有若干穿孔，所述透明导电层经由穿孔裸露于透明保护层之外，裸露于穿孔的透明导电层的表面形成有微结构。

一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：

提供一发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒包括透明导电层和覆盖于透明导电层上的透明保护层；

在透明保护层上开设若干穿孔，以使穿孔底部裸露出透明导电层；

对穿孔底部裸露出的透明导电层表面进行粗化以形成微结构。

上述发光二极管晶粒中在透明导电层上面生长的透明保护层上开设穿孔，使透明导电层从穿孔中裸露出，并对裸露出的透明导电层进行粗化形成微结构，从而使有源层发出的光线正向出射时经过微结构的多角度反射和折射，从而避免在平滑的出光面上形成全反射，进而提高出光的效率，提升发光二极管晶粒的亮度。

附图说明

图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的剖面示意图。

图2是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的俯视示意图。

图3是图1中透明导电层及其上层部分的局部放大图。

图4是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管晶粒的剖面示意图。

图5是本发明一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的制造方法流程图。

主要元件符号说明