[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺有效
| 申请号： | 201210089500.8 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367138B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王坚;何增华;贾照伟;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟化 氙气 刻蚀 阻挡 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，包括如下步骤：
将硅片放入预加热腔内加热到一设定温度；
从所述预加热腔内取出硅片并将硅片放入工艺腔内进行气相刻蚀；
从所述工艺腔内取出硅片；
将硅片放入后加热腔内加热到一设定温度并维持一定时间；
从所述后加热腔内取出硅片并将硅片放入冷却腔内冷却到一设定温度；
从所述冷却腔内取出硅片。
2.根据权利要求1所述的二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，其特征在于，在所述预加热腔内，将所述硅片的温度加热到略高于工艺要求的温度。
3.根据权利要求1所述的二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，其特征在于，向所述冷却腔内注入惰性气体或者惰性气体与还原性气体的混合气体直到所述冷却腔内压强与外界压强一致，打开所述冷却腔将所述硅片取出。
4.根据权利要求1所述的二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，其特征在于，所述阻挡层的材料是钽、氮化钽、钛、氮化钛之一或者它们的混合物。
5.根据权利要求1所述的二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，其特征在于，所述后加热腔内的温度为100℃-350℃。
6.根据权利要求1所述的二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，其特征在于，硅片在所述后加热腔内加热的时间为1-5分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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