[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

至少两个LED半导体结构，所述至少两个LED半导体结构设置于同一平面；

每一LED半导体结构包括一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接；

每一LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极与相邻的LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极相互间隔设置，且每一LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极与相邻的LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极的间距为1微米到1毫米。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每一LED半导体结构进一步包括一基底，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的表面，且所述第一半导体层与所述基底接触设置。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述至少两个LED半导体结构的基底为一体结构。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述至少两个LED半导体结构的第一半导体层为一体结构，且所述至少两个LED半导体结构共用所述第一电极。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述基底远离第一半导体层的表面进一步包括一反射层，所述反射层完全包覆于所述基底远离第一半导体层的表面。

7.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述基底远离第一半导体层的表面为所述发光二极管的出光面，且所述第二电极完全包覆于所述第二半导体层远离活性层的表面。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极远离第二半导体层的表面进一步包括一反射层，所述反射层完全包覆于所述第二电极远离第二半导体层的表面。

9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管的出光面具有多个第一三维纳米结构。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述至少两个LED半导体结构的第一半导体层为一体结构。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述至少两个LED半导体结构的第一电极为一体结构，且所述第一电极覆盖于所述第一半导体层远离所述活性层的表面。

12.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层远离所述活性层的表面具有多个第一三维纳米结构。

13.如权利要求5、9或12所述的发光二极管，其特征在于，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构、点状凸起结构或条形凸起结构与点状凸起结构的组合。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述条形凸起结构的横截面为三角形、方形、矩形、梯形、弓形、半圆形、M形。

15.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述点状凸起结构的形状为球形、椭球形、单层棱台、多层棱台、单层棱柱、多层棱柱、单层圆台、多层圆台。

16.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述条形凸起结构以等间距排列，且相邻两个条形凸起结构之间的距离为100纳米到200纳米。

17.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述条形凸起结构的横截面为半圆形，且该半圆形的半径为100纳米到200纳米。

18.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述至少两个发光单元按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。

19.如权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，至少两个LED半导体结构的间距为1微米到1毫米。

20.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层与所述活性层之间的接触面以及所述活性层与所述第二半导体层之间的接触面形成多个第二三维纳米结构。