[发明专利]太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210089075.2 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367525A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法，其包括以下步骤：
提供一硅基板，所述硅基板具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；
在所述硅基板的第二表面设置一图案化掩膜层，所述图案化掩膜层包括多个并排设置的挡墙，相邻的挡墙之间形成一沟槽，所述硅基板通过该沟槽暴露出来；
对所述硅基板进行刻蚀，使每一挡墙对应的硅基板的第二表面形成一三维纳米结构，所述三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形；
去除所述图案化掩膜层；
在所述三维纳米结构表面及相邻三维纳米结构之间的硅基板的表面形成一掺杂硅层；
提供一上电极，并将所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面；以及
提供一背电极，将所述背电极设置于所述硅基板的第一表面，使所述背电极与所述硅基板的第一表面欧姆接触。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述挡墙为直线形、折线形或曲线形，且并排延伸。
3.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述挡墙按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述相邻的两个挡墙之间的距离为10纳米~1000纳米。
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述挡墙的宽度为200纳米~1000纳米。
6.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述挡墙的宽度为300纳米~400纳米，且相邻的两个挡墙之间的距离为100纳米~200纳米。
7.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在硅基板的第二表面设置一图案化掩膜层的步骤包：
通过旋转涂布、裂缝涂布、裂缝旋转涂布或者干膜涂布法在所述硅基板的第二表面设置一掩膜层；
通过电子束曝光法、光刻法以及纳米压印法在所述硅基板上的掩膜层形成多个沟槽，使所述掩膜层图案化。
8.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅基板进行刻蚀的方法为：通过等离子体对暴露于沟槽的硅基板进行刻蚀。
9.如权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀中的刻蚀气体包括Cl2及Ar2气体。
10.如权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述Cl2流速小于Ar2的流速。
11.如权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述Cl2的流速为4 sccm～20 sccm；所述Ar2的流速为10 sccm ~60 sccm。
12.如权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述工作气体形成的气压为2帕~10帕。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
