[发明专利]白光LED

权利要求书

1.一种白光LED，其特征在于，包括：

三个第一LED半导体结构和一个第二LED半导体结构，每一LED半导体结构包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层和一第二半导体层，所述三个第一LED半导体结构和第二LED半导体结构共用所述第一半导体层，每一LED半导体结构的活性层设置在所述第一半导体层的一第一表面且间隔设置，所述三个第一LED半导体结构中的活性层设置在所述第二LED半导体结构中的活性层的四周，所述三个第一LED半导体结构分别为红、绿、蓝三基色的发光单元，所述第二LED半导体结构为一光栅。

2.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，每一第一LED半导体结构中的活性层到所述第二LED半导体结构中的活性层的距离相等，且所述第一LED半导体结构中的活性层到所述第二LED半导体结构中的活性层的距离为1微米到1毫米。

3.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，所述活性层的形状为三角形、正方形、矩形、圆形或圆弧形。

4.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，所述白光LED进一步包括一基底，所述基底完全覆盖所述第一半导体层的一第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置。

5.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，所述白光LED进一步包括一第一电极，所述第一电极完全包覆于所述第一半导体层的一第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置。

6.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，所述白光LED进一步包括一第一反射层，所述第一反射层完全包覆于所述第一电极远离第一半导体层的表面。

7.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，每一第一LED半导体结构进一步包括一第二反射层，所述第二反射层完全包覆所述第二半导体层远离活性层的表面。

8.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，所述第二LED半导体结构中的第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构。

9.如权利要求8所述的白光LED，其特征在于，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构、点状凸起结构或条形凸起结构与点状凸起结构的组合。

10.如权利要求9所述的白光LED，其特征在于，所述条形凸起结构的横截面为三角形、方形、矩形、梯形、弓形、半圆形或M形。

11.如权利要求9所述的白光LED，其特征在于，所述条形凸起结构以等间距排列，且相邻两个条形凸起结构之间的距离为100纳米到200纳米。

12.如权利要求9所述的白光LED，其特征在于，所述条形凸起结构的横截面为半圆形，且该半圆形的半径为100纳米到200纳米。

13.如权利要求9所述的白光LED，其特征在于，所述点状凸起结构的形状为球形、椭球形、单层棱台、多层棱台、单层棱柱、多层棱柱、单层圆台或多层圆台。

14.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于，每一第一LED半导体结构中第一半导体层靠近活性层的表面或活性层靠近第二半导体层的表面具有多个第二三维纳米结构。

15.一种白光LED，其特征在于，包括：

三个第一LED半导体结构和一个第二LED半导体结构，每一LED半导体结构包括依次层叠设置的一基板、一第一半导体层、一活性层和一第二半导体层，所述三个第一LED半导体结构和第二LED半导体结构共用所述基板，每一LED半导体结构的第一半导体层设置在所述基板的一第一表面且间隔设置，所述三个第一LED半导体结构的第一半导体层设置在所述第二LED半导体结构的第一半导体层的四周，所述三个第一LED半导体结构分别为红、绿、蓝三基色的发光单元，所述第二LED半导体结构为一光栅。

16.如权利要求15所述的白光LED，其特征在于，每一第一LED半导体结构的第一半导体层到所述第二LED半导体结构的第一半导体层的距离相等，且所述第一LED半导体结构的第一半导体层到所述第二LED半导体结构的第一半导体层的距离为1微米到1毫米。

17.如权利要求15所述的白光LED，其特征在于，每一第一LED半导体结构进一步包括一第一反射层，所述第一反射层完全包覆所述第二半导体层远离活性层的表面。