[发明专利]非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法

权利要求书

1.一种非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

选择衬底的材料并对衬底进行预处理；

在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜；

对生长完成的非晶硅薄膜进行退火。

2.如权利要求1所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，所述高浓度掺杂是指掺杂浓度高于该材料在硅中形成中间带的最低浓度。。

3.如权利要求2所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，所述衬底的材料为单晶硅、石英、玻璃、或者不锈钢。

4.如权利要求2所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，所述生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜的步骤中，掺杂材料由能在硅的禁带中形成能级的元素构成。

5.如权利要求4所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，所述掺杂材料为钛、铝、铟、镁或硫。

6.如权利要求2所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，所述生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜的步骤是在不高于400℃的温度下进行的。

7.如权利要求6所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，所述生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜的步骤是在氢气的气氛中进行的。

8.如权利要求2所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，对生长完成的非晶硅薄膜进行退火的步骤是在氮气或者氢气的气氛中进行的。

9.如权利要求8所述的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法，其特征在于，对生长完成的非晶硅薄膜进行退火的步骤是在不高于400℃的温度下进行的。

10.一种非晶硅薄膜中间带材料，其特征在于，该材料由权利要求1-9中的任一项所述的制备方法制备而得，其在近红外波段的吸收率为50％以上。