[发明专利]形成接触孔的方法

权利要求书

1.一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成双应力垫衬层，所述双应力垫衬层包括第一应力垫衬层和第二应力垫衬层，且所述第一应力垫衬层和第二应力垫衬层具有叠置部分，且所述第一应力垫衬层具有的应力和第二应力垫衬层具有的应力相反；

在所述双应力垫衬层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第二介质层的顶面与所述叠置部分的双应力垫衬层的顶面相平；

刻蚀所述第三介质层，在所述第三介质层中形成多个第一开口，所述多个第一开口暴露出所述第二介质层和叠置部分的位于顶层的应力垫衬层，所述第三介质层的刻蚀速率大于所述第二介质层和叠置部分的位于顶层的应力垫衬层的刻蚀速率；

刻蚀所述多个第一开口下的第二介质层、叠置部分的位于顶层的应力垫衬层和第一介质层，形成多个第二开口，所述多个第二开口底部暴露出第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层，在刻蚀第二介质层时，所述第二介质层的刻蚀速率介于所述第一介质层的刻蚀速率和所述叠置部分的位于顶层的应力垫衬层的刻蚀速率之间；

去除位于所述第二开口下的第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层，形成接触孔。

2.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于，在所述双应力垫衬层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层包括：

在所述双应力垫衬层上形成介质层；

对所述介质层进行平坦化，使所述介质层的顶面与所述叠置部分顶层的应力垫衬层的顶面相平；

对所述平坦化后的介质层进行离子掺杂形成预定厚度的掺杂层，所述预定厚度的掺杂层作为第二介质层，预定厚度的掺杂层和所述双应力垫衬层之间未掺杂的介质层部分作为第一介质层；

在所述第二介质层和叠置部分的位于顶层的应力垫衬层形成的顶面上形成第三介质层。

3.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于，刻蚀所述第三介质层，在所述第三介质层中形成多个第一开口包括：

在所述第三介质层上形成图形化的掩膜层，定义出所述接触孔的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第三介质层，在所述第三介质层中形成多个第一开口。

4.如权利要求3所述的形成接触孔的方法，其特征在于，刻蚀所述第三介质层使用的方法为干法刻蚀，在该干法刻蚀中，所述第三介质层对所述第二介质层、叠置部分的位于顶层的应力垫衬层的刻蚀选择比为5∶1～20∶1。

5.如权利要求3所述的形成接触孔的方法，其特征在于，刻蚀所述多个第一开口下的第二介质层、叠置部分的位于顶层的应力垫衬层和第一介质层，形成多个第二开口包括：

以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述多个第一开口下的第二介质层、叠置部分位于顶层的应力垫衬层进行第一刻蚀，所述第一刻蚀刻穿所述第二介质层，在所述第一刻蚀后，所述位于顶层的应力垫衬层具有剩余部分；

之后，对所述第一介质层和所述位于顶层的应力垫衬层的剩余部分进行第二刻蚀，直至刻穿所述第一介质层和所述位于顶层的应力垫衬层的剩余部分，形成第二开口。

6.如权利要求5所述的形成接触孔的方法，其特征在于，所述第一刻蚀为干法刻蚀，在第一刻蚀中，所述第二介质层对所述第一介质层的蚀刻速率比为1∶0.3～1∶0.8，所述第二介质层对叠置部分的位于顶层的应力垫衬层的刻蚀速率比为：1∶1.5～1∶6。

7.如权利要求5所述的形成接触孔的方法，其特征在于，所述第二刻蚀为干法刻蚀，在第二刻蚀中，所述第一介质层对所有应力垫衬层的刻蚀选择比为5∶1～20∶1。

8.如权利要求5所述的形成接触孔的方法，其特征在于，所述去除位于所述第二开口下的第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层，形成接触孔包括：

在所述第二刻蚀之后，去除所述图形化的掩膜层，以所述第一介质层为掩膜对所述第二开口下的第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层进行刻蚀，以去除位于所述第二开口下的第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层形成接触孔。

9.如权利要求8所述的形成接触孔的方法，其特征在于，去除所述图形化的掩膜层的方法为灰化。