[发明专利]通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法

权利要求书

1.一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，该方法包括：

步骤1：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层，在该电热绝缘材料层上依次淀积第一功能材料层和牺牲材料层；

步骤2：在牺牲材料层上旋涂SU-8胶并电子束曝光，形成纵向的条形纳米量级SU-8胶掩模；

步骤3：通过该SU-8胶掩模，干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；

步骤4：在电热绝缘材料层、条形的第一功能材料层、牺牲材料层和SU-8胶掩模结构的裸露表面，淀积第二功能材料层；

步骤5：在第二功能材料层上旋涂SU-8胶并电子束曝光，形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层、牺牲材料层和SU-8胶掩模叠成的纵向条形结构；

步骤6：通过SU-8胶条掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；

步骤7：腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；

步骤8：通过第二功能材料层上部的SU-8胶条掩模，干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；

步骤9：超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构，完成制备。

2.根据权利要求1所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中衬底的材料为硅、氮化镓、蓝宝石、碳化硅、砷化镓或者玻璃。

3.根据权利要求1所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中电热绝缘材料层是氮氧化合物、氮化物、氧化物，或者是这几种化合物构成的混合物。

4.根据权利要求3所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中电热绝缘材料层是通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积法、热氧化法、金属有机物热分解法中的一种或者几种制备。

5.根据权利要求1所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中第一功能材料层是相变材料、砷化镓、氮化镓、石墨烯、超导材料、铁磁材料。

6.根据权利要求5所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中第一功能材料层是通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积法、热氧化法、金属有机物热分解法中的一种或者几种制备。

7.根据权利要求1所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中牺牲材料层是金属、硅的氧化物、氮化物、氮氧化物、多晶硅。

8.根据权利要求7所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中牺牲材料层是通过溅射法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积法、热氧化法、金属有机物热分解法中的一种或者几种制备。

9.根据权利要求1所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中SU-8胶掩模是SU-8胶全系列。

10.根据权利要求8所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中SU-8胶掩模是通过旋涂SU-8胶后，电子束曝光、X射线曝光、365nm汞灯曝光中的一种或者几种搭配制备。

11.根据权利要求1所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中第二功能材料层与第一功能材料相同，或是硅、多晶硅、钨、氮化钛、镍、铝、钛、金、银、铜、铂、氮化钨，或者它们的合金；

12.根据权利要求11所述的通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，其中第二功能材料层是通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积法、热氧化法、金属有机物热分解法中的一种或者几种制备。