[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括步骤：

在衬底中形成浅沟槽；

在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；

在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层；

向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽之后、形成浅沟槽填充层之前，还包括在浅沟槽中形成衬垫层。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽的步骤进一步包括：

在衬底上形成硬掩膜层；

光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜层图形，具有多个暴露了衬底的开口；

刻蚀开口中暴露的衬底，形成浅沟槽。

4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽填充层的步骤进一步包括：

在浅沟槽中沉积浅沟槽填充层；

平坦化浅沟槽填充层，直至暴露硬掩膜层；

刻蚀浅沟槽填充层，使得浅沟槽填充层上表面低于硬掩膜层上表面。

5.如权利要求4的半导体器件制造方法，其中，硬掩膜层至少包括第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，刻蚀浅沟槽填充层而使得浅沟槽填充层上表面低于第一硬掩膜层上表面。

6.如权利要求1或2的半导体器件制造方法，其中，衬垫层和/或衬垫盖层包括氮化物、氮氧化物。

7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，衬垫盖层的厚度为10～20nm。

8.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，注入的离子至少包括0。

9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，注入的离子还包括N、C、F、B、P、Ti、Ta、Hf。

10.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，注入离子剂量大于等于10¹⁶cm^-2。

11.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，浅沟槽填充层包括多晶硅、非晶硅、微晶硅。