[发明专利]一种带指示光的光纤耦合半导体激光器及其封装方法

权利要求书

1.一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，其包括封装管壳、在封装管壳内安装有半导体激光器、部分反射镜、反射镜a、反射镜b、反射镜c、增益介质和倍频晶体；在半导体激光器出光方向上依次设置部分反射镜和反射镜a；在部分反射镜的下方设置有反射镜b，在反射镜a下方设置有反射镜c；在反射镜b和反射镜c之间设置有增益介质和倍频晶体；在光路上且在封装管壳上设置有出光孔。

2.根据权利要求1所述的一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，所述部分反射镜的光入射面蒸镀有808nm部分反射介质膜，部分反射镜的光出射面蒸镀有808nm增透膜。

3.根据权利要求1所述的一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，所述反射镜a的光入射面上蒸镀有808nm增透膜；反射镜a的光出射面上蒸镀有808nm增透膜以及532nm或473nm高反膜两层镀膜。

4.根据权利要求1所述的一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，所述反射镜b的光入射面上蒸镀有808nm高反膜。

5.根据权利要求1所述的一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，所述反射镜c的光入射面上蒸镀有532nm或473nm高反膜。

6.根据权利要求1所述的一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，所述增益介质的光入射面蒸镀808nm增透膜、1064nm或946nm高反膜以及532nm或473nm高反膜三层镀膜；增益介质跟倍频晶体在进行键合，两者接触面不需要镀膜；所述倍频晶体的光出射面蒸镀532nm或473nm增透膜、1064nm或946nm高反膜以及808nm高反膜三层镀膜。

7.根据权利要求1所述的一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，其特征在于，所述的增益介质为Nd:YVO4或Nd:YAG，倍频晶体为KDP晶体。

8.一种如权利要求1所述带指示光的光纤耦合半导体激光器的封装方法，其特征在于，其包括如下步骤：

(1)将已经准直的半导体激光器焊接到封装管壳内，使出射的激光光束通过出光孔并对准光学耦合系统的中心；所述已准直的半导体激光器是指：由半导体激光器射出的激光光束顺次经过快轴压缩和慢轴准直；

(2)在半导体激光器出光方向上，由近而远设置部分反射镜和反射镜a；在部分反射镜的下方设置有反射镜b，在反射镜a下方设置有反射镜c；在反射镜b和反射镜c之间设置有增益介质和倍频晶体；在部分反射镜的光入射面蒸镀部分反射介质膜，对一部分激光光束反射；在部分反射镜的光出射面蒸镀增透膜，对另一部分激光光束透射；

(3)调整部分反射镜及各反射镜的反射方向，使激光光束沿下述路径进行传播：半导体激光器发出的激光光束经柱透镜压缩快轴、微透镜准直慢轴后变为固定的激光光束，激光光束通过部分反射镜后，有一部分激光光束透过部分反射镜，然后又透过反射镜a，沿封装管壳出光孔入射到光学耦合系统中；另一部分激光光束经部分反射镜反射到反射镜b上，经反射镜b反射后入射到增益介质，增益介质吸收激光光束作为泵浦光，然后经过倍频晶体转换为可见光光束，可见光光束经反射镜c和反射镜a后跟部分经反射镜a透射出的激光光束合束，最后经出光孔、光学耦合系统光耦合进入光纤。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，步骤(1)中所述的808nm激光光束为平行光；步骤(2)中，在部分反射镜的光入射面蒸镀部分反射介质膜，对一部分激光光束反射，经反射后的激光光束的功率大于或等于50mW。

10.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述部分反射镜的光入射面蒸镀有808nm部分反射介质膜，部分反射镜的光出射面蒸镀有808nm增透膜；所述反射镜a的光入射面上蒸镀有808nm增透膜；反射镜a的光出射面上蒸镀有808nm增透膜以及532nm或473nm高反膜两层镀膜；所述反射镜b的光入射面上蒸镀有808nm高反膜；所述反射镜c的光入射面上蒸镀有532nm或473nm高反膜；所述增益介质的光入射面蒸镀808nm增透膜、1064nm或946nm高反膜以及532nm或473nm高反膜三层镀膜；增益介质跟倍频晶体在进行键合，两者接触面不需要镀膜；所述倍频晶体的光出射面蒸镀532nm或473nm增透膜、1064nm或946nm高反膜以及808nm高反膜三层镀膜；所述的增益介质为Nd:YVO4或Nd:YAG，倍频晶体为KDP晶体。