[发明专利]一种改善硼硅酸盐玻璃熔化均匀性的结构无效
| 申请号： | 201210088047.9 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102643011A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张峰;杨国洪 | 申请（专利权）人： | 彩虹显示器件股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B5/235 | 分类号： | C03B5/235;C03B5/193;C03B5/23 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 712021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅酸盐 玻璃 熔化 均匀 结构 | ||
1.一种减少投料区配合料硼挥发的结构，其特征在于：包括在池炉投料区至少有一个配合料的预熔区，预熔区提供配合料表面迅速发生固-固反应的条件，减少粉状配合料在高温下硼的挥发；预熔区向池炉外侧有延伸，用于缩短池炉内料山的长度。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述预熔区的出料端与池炉内部高温空间相连通，预熔区至少有一个投料端和一个出料端。
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述预熔区包括前壁，左右壁和上盖、前壁、左右壁和上盖都使用非金属耐火材料砌筑。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述预熔区纵向长度D3长度大于等于液面深度的0.5倍。
5.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述预熔区可具有至少一个投料口，每个投料口可容纳至少一个投料机。
6.一种减少玻璃液表面硼挥发的方法，其特征在于：投料区的配合料由两侧电极设备加热融化；池炉出料口处燃枪孔配套一个冷却气补偿口。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述冷却气是空气或氧气。
8.一种减少熔炉底部富铝层的堆积的结构，其特征在于：熔炉出料口下沿到池炉的距离较小，避免池底富铝层玻璃熔体在熔炉内的堆积，该距离小于等于液面深度的0.25倍。
9.一种使用气体均化玻璃熔体的方法，其特征在于：将气体从池底鼓入玻璃熔体，使玻璃熔体均化，鼓入气体的装置位于池炉纵向长度的后2/3区域内，即D2＝2D1。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述鼓入气体的是空气或氧气。
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