[发明专利]离子束均匀性的检测方法有效
| 申请号： | 201210087739.1 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367187A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01T1/29 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子束 均匀 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子束均匀性的检测方法，包括下列步骤：
获取离子注入机台检测离子束的取点位置在晶圆上的对应位置；
采用所述离子注入机台对晶圆进行离子注入；
测量所述对应位置的电阻值；
根据所述电阻值判断离子束均匀性是否达标。
2.根据权利要求1所述的离子束均匀性的检测方法，其特征在于，还包括若均匀性未达标，则根据未达标的电阻值的测量点，找到所述离子束的取点位置的步骤。
3.根据权利要求1所述的离子束均匀性的检测方法，其特征在于，所述对晶圆进行离子注入的步骤和测量所述对应位置的电阻值的步骤之间还包括对所述晶圆退火的步骤。
4.根据权利要求1所述的离子束均匀性的检测方法，其特征在于，所述对应位置的测量点排列形成线段。
5.根据权利要求4所述的离子束均匀性的检测方法，其特征在于，相邻两个所述对应位置的测量点之间的距离为3mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
