[发明专利]一种红外探测器封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

S1、在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极；

S2、在所述红外光反射层和底接触电极上沉积探测器第一牺牲层，所述探测器第一牺牲层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，并将底接触电极上对应的部分探测器第一牺牲层形成第一孔洞；

S3、在所述探测器第一牺牲层上部分形成敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，与探测器第一牺牲层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；

S4、在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞，与第一间隙对应的第二间隙，以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；

S5、在所述金属电极层的第三孔洞处形成金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；

S6、在所述探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱上形成探测器第二牺牲层，所述探测器第二牺牲层全部覆盖探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱；

S7、在所述探测器第二牺牲层的四周边缘形成吸气剂层；

S8、在所述吸气剂层上形成第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和探测器第二牺牲层后，其释放孔与探测器第二牺牲层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使探测器第二牺牲层四周边缘有部分露出；

S9、通过所述敏感材料探测层上设置的第一间隙、金属电极层上设置的第二间隙以及第一封装薄膜层上设置的释放孔和缺口，使所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层分别与氧等离子体反应，实现对探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的释放，由此形成所述第一空间层和第二空间层；

S10、在所述第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。

2.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述红外光反射层和底接触电极的材料为铝、铝硅合金或铝硅铜合金。

3.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的材料为聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述敏感材料探测层的材料为非晶硅或氧化钒。

5.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属电极层的材料选自镍、镍铬合金、钛、氮化钛、钛钨合金、钽、氮化钽中的一种或者两种材料形成的复合金属薄膜。

6.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属桥柱的材料为铝。

7.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一封装薄膜层和第二封装薄膜层的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种。

8.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二封装薄膜层的形成在真空度高于10^-3Pa的设备中进行。

9.一种红外探测器封装结构，其特征在于，包括衬底，在所述衬底的同一表面上设有红外光反射层和底接触电极；所述红外光反射层和底接触电极上设有第一空间层，所述第一空间层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，在底接触电极上对应的部分第一空间层设有第一孔洞；所述第一空间层上部分设有敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，以及与第一空间层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；所述敏感材料探测层上设有金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞、与第一间隙对应的第二间隙以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；所述金属电极层的第三孔洞处设有金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；所述第一空间层、金属电极层和金属桥柱上设有第二空间层，所述第二空间层全部覆盖第一空间层、金属电极层和金属桥柱；所述第二空间层的四周边缘设有吸气剂层；所述吸气剂层上设有第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和第二空间层后，其释放孔与第二空间层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使第二空间层四周边缘有部分露出；所述第一封装薄膜层上设有第二封装薄膜层。

10.根据权利要求9所述的红外探测器封装结构，其特征在于，所述第一封装薄膜层和第二封装薄膜层的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种。