[发明专利]一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺有效
申请号: | 201210086815.7 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102631907A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 李和兴;张鹏;朱建;李贵生 | 申请(专利权)人: | 上海师范大学 |
主分类号: | B01J21/06 | 分类号: | B01J21/06 |
代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人: | 吴瑾瑜 |
地址: | 200234 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 001 暴露 有氧 缺陷 可见光 氧化 纳米 合成 工艺 | ||
1.一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将摩尔比为1∶0.75~1∶4的钛酸丁酯和四氟化钛溶于溶剂A中得到溶液B;
(2)将溶液B在35~45℃下陈化48h~50h;
(3)将陈化后得到的产物以乙醇为萃取剂,在6~14MPa,230~290℃超临界状态下陈化0.5~8h,通过超临界萃取得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。
2.权利要求1所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(1)中的溶剂A为浓度为15~20wt%的硝酸的醇水溶液。
3.权利要求2所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(1)所述醇与水的体积比为1∶20~1∶25。
4.权利要求3所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(1)所述醇为乙醇。
5.权利要求1所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(1)中Ti元素与溶剂A的摩尔体积比为7∶20~7∶105。
6.权利要求5所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(1)中Ti元素与溶剂A的摩尔体积比为7∶105。
7.权利要求1所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(2)中陈化温度为40℃,时间为48h。
8.权利要求1所述{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,步骤(3)中陈化温度为260℃,陈化时间为2h。
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