[发明专利]离子迁移谱仪无效

专利信息
申请号: 201210085709.7 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN103367092A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 杨杰;曹树亚;郭成海;赵将;蒋颜玮;邵晟宇;潘勇;杨柳 申请(专利权)人: 中国人民解放军63975部队
主分类号: H01J49/26 分类号: H01J49/26;H01J49/06
代理公司: 中国人民解放军防化研究院专利服务中心 11046 代理人: 刘永盛
地址: 102205 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 离子 迁移
【权利要求书】:

1.一种离子迁移谱仪,其特征是该谱仪包括离子源电极(1)、聚焦导向电极(4)、离子存储电极(5);

离子源电极(1)由不锈钢筒状结构组成,靠近聚焦导向电极(4)的一侧有内倒角;

聚焦导向电极(4)由不锈钢的喇叭状结构和环状结构组合而成,设置在靠近离子源电极(1)有内倒角的一侧,且喇叭状结构从靠近离子源电极(1)的一侧向远离离子源电极(1)的一侧逐渐变大;

离子存储电极(5),设置在聚焦导向电极(4)的远离离子源电极(1)的那一侧,由不锈钢丝网和不锈钢环组成;

聚焦导向电极(4)与离子存储电极(5)之间环状绝缘夹层(7)为聚四氟乙烯或PEEK材料,其厚度小于4mm。

2.如权利要求1所述的离子迁移谱仪,其特征是聚焦导向电极(4)为不锈钢材料,表面喷涂一层绝缘漆。

3.如权利要求1所述的离子迁移谱仪,其特征是离子存储电极(5)不锈钢丝网的孔状结构包含六边形孔、圆形孔或正方形孔。

4.一种离子迁移谱仪的控制方法,其特征是该方法包括离子存储阶段、离子导出阶段和过渡阶段:

离子存储阶段,向聚焦导向电极(4)和离子存储电极(5)施加电压,使得其小于或等于电极(3)和电极(6)上施加的电压,以形成电势“洼地”,将离子存储在离子存储结构中,该阶段持续200~300μs;

离子导出阶段,向聚焦导向电极(4)和离子存储电极(5)施加电压,使得其高于电极(3)和电极(6)上施加的电压,且聚焦导向电极(4)上的电压高于离子存储电极(5)上的电压,以导出存储在离子存储结构中的离子;

过渡阶段,向聚焦导向电极(4)和离子存储电极(5)施加电压,使得离子存储电极(5)的电压高于聚焦导向电极(4)、电极(3)和电极(6)上施加的电压,以避免离子存储结构电极电压的跳变造成迁移区前端电场的扭曲,该阶段持续2000~4000μs;

过渡阶段之后,离子迁移谱仪将进入下一周期的离子存储阶段。

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