[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201210085683.6 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102637729A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;工藤智彦 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体、及包围该第1绝缘体的栅极；
在所述第1硅柱的下部具备有第2硅柱，在所述第1硅柱的上部具备有第3硅柱；
并且，半导体器件由以下区域所构成：
第2导电型高浓度杂质区域，形成于所述第2硅柱；
第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；以及
第1导电型杂质区域，由形成于所述第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；
而形成在除所述第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面的第2导电型高浓度杂质区域是圆柱；
而形成于所述第3硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于第3硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的空乏层还长。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，形成于所述第3硅柱的属于源极的第1导电型杂质区域的长度Ls与直径Ts为以下关系式
[数式4]
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第1硅柱为高电阻区域，形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域为高电阻区域，所述第3硅柱的第1导电型杂质区域为高电阻区域。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域与所述第3硅柱的第1导电型杂质区域的直径较所述第1硅柱的直径还大。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第1硅柱为高电阻区域或第1导电型杂质区域，形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域为包含1×1018/cm3以下的杂质浓度区域的第2导电型杂质区域，所述第3硅柱的第1导电型杂质区域为包含1×1018/cm3以下的杂质浓度区域的第2导电型杂质区域。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，形成于所述第2硅柱的第2导电型杂质区域与所述第3硅柱的第2导电型杂质区域的直径较所述第1硅柱的直径还大。
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