[发明专利]膜转移框架有效
申请号: | 201210085259.1 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102738035A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | J·S·弗兰克尔 | 申请(专利权)人: | 埃尔塔设备公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 刘博 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 框架 | ||
1.一种用于固定膜的单件式装置,其包括:
框架,其具有带大于所述膜的中心开放区域的形状;
多个指状物,其在所述框架上延伸到所述开放区域中;和
倒刺,其定位在所述多个指状物中的每一个的末端上,其中所述倒刺固定所述膜。
2.根据权利要求1所述的单件式装置,其中所述倒刺通过刺穿所述膜固定所述膜,且其中所述倒刺包括下切口。
3.根据权利要求1所述的单件式装置,其中用于固定所述膜的所述单件式装置的厚度不超过3.5mm,且其中所述框架由包括聚醚醚酮和聚偏二氟乙烯中的一个的高温聚合物形成。
4.根据权利要求1所述的单件式装置,其中所述框架具有矩形形状且其中所述多个指状物中的至少一个位于所述框架的每个边角中,且其中所述指状物具有向下斜度。
5.根据权利要求1所述的单件式装置,其中所述膜包括其上带砷化镓层的单一聚酯膜。
6.一种用于将膜固定在单件式框架上的系统,其包括:
框架,其具有带大于所述膜的中心开放区域的形状,所述框架包括:
多个指状物,其在所述框架上延伸到所述开放区域中;和
倒刺,其定位在所述多个指状物中的每一个的末端上,其中所述倒刺固定所述膜;和
末端执行器,其包括第一多个真空管线开口和第二多个真空管线开口,其中所述末端执行器用所述第一多个真空管线开口固定到所述膜上并且用所述第二多个真空管线开口固定到所述框架上,其中所述末端执行器用所述第一多个真空管线开口拾起所述膜并且将所述膜压到所述框架上,其中将所述膜压到所述框架上将所述膜固定在所述倒刺上。
7.根据权利要求6所述的系统,其中所述末端执行器用所述第二多个真空管线开口拾起带所述固定膜的所述框架并且将所述框架/膜总成定位进行处理。
8.根据权利要求6所述的系统,其中所述末端执行器用所述第二多个真空管线开口拾起所述框架并且在用所述第一多个真空管线开口拾起所述膜之前将所述框架预定位以将所述膜压到所述框架上。
9.根据权利要求6所述的单件式装置,其中所述倒刺通过刺穿所述膜固定所述膜,且其中所述末端执行器包括对应于每个倒刺位置的圆形腔,使得当所述末端执行器抵着所述框架和所述倒刺向下推时,所述膜偏转进入所述圆形腔中直到所述膜停止且所述倒刺穿过。
10.根据权利要求6所述的单件式装置,其中用于固定所述膜的所述单件式装置的厚度不超过3.5mm,且其中所述膜包括其上带砷化镓层的单一聚酯膜。
11.根据权利要求6所述的单件式装置,其中所述框架具有矩形形状,且其中所述多个指状物中的至少一个位于所述框架的每个边角中,且其中所述指状物具有向下斜度且所述倒刺包括下切口。
12.根据权利要求6所述的单件式装置,其中所述框架由包括聚醚醚酮和聚偏二氟乙烯中的一个的高温聚合物形成。
13.一种用于将膜固定在单件式框架上的方法,其包括:
用末端执行器拾起所述膜,其中所述末端执行器用第一多个真空管线开口拾起所述膜;
用所述末端执行器将所述膜移动到单件式框架并且将所述膜压到所述框架上以固定所述膜,其中所述框架包括带大于所述膜的中心开放区域的形状,所述框架包括:
多个指状物,其在所述框架上延伸到所述开放区域中;和
倒刺,其定位在所述多个指状物中的每一个的末端上,其中所述倒刺通过刺穿所述膜而固定所述膜。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述框架具有矩形形状,且其中所述多个指状物中的至少一个位于所述框架的每个边角中。
15.根据权利要求13所述的方法,其中所述末端执行器包括对应于每个倒刺位置的圆形腔,使得当所述末端执行器抵着所述框架和所述倒刺向下推时,所述膜偏转进入所述圆形腔中直到所述膜停止且所述倒刺穿过。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造