[发明专利]外延衬底的制备方法

权利要求书

1.一种外延衬底的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底，该基底具有一外延生长面；

在所述基底的外延生长面形成多个凸起部与多个凹陷部，从而形成一图案化的表面；

在所述外延生长面设置一碳纳米管层覆盖所述多个凸起部与多个凹陷部，所述碳纳米管层对应所述凹陷部位置悬空设置；

处理所述碳纳米管层，使碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同。

2.如权利要求1所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述在基底的外延生长面设置一碳纳米管层的方法为将碳纳米管膜或碳纳米管线直接铺设在所述基底的外延生长面作为碳纳米管层。

3.如权利要求1所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层为多个碳纳米管组成的自支撑结构。

4.如权利要求3所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，其特征在于，所述碳纳米管层包括一碳纳米管膜，该碳纳米管薄膜包括多个连续且定向延伸的碳纳米管片段。

5.如权利要求4所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，该多个碳纳米管片段包括多个相互平行的碳纳米管。

6.如权利要求5所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层中碳纳米管的延伸方向平行于所述碳纳米管层的表面设置。

7.如权利要求5所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述凹陷部为沿同一方向延伸的凹槽，所述凸起部为沿相同方向延伸的凸条。

8.如权利要求7所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层中碳纳米管的延伸方向垂直于所述凹槽的延伸方向设置。

9.如权利要求7所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述凹槽的宽度为1微米～50微米，深度为0.1微米～1微米，所述凸条的宽度为1微米～20微米。

10.如权利要求1所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层通过机械压制、有机溶剂处理或静电吸附的方法进行处理，使悬空部分碳纳米管层贴附于所述凹陷部的底面。

11.如权利要求10所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂处理所述碳纳米管层的方法为通过将铺设有碳纳米管层的基底浸入有机溶剂，或通过将有机溶剂滴落在碳纳米管层表面浸润整个碳纳米管层。

12.如权利要求1所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，经过处理后，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述图案化的外延生长面的起伏趋势相同。

13.如权利要求1所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层经过处理后，碳纳米管层对应凹陷部位置处的部分与对应凸起部位置处的部分断开，断开的部分碳纳米管层贴附于所述凹陷部的底面。

14.如权利要求1所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，处理所述碳纳米管层的过程中，所述碳纳米管层保持一连续的整体结构。

15.如权利要求14所述的外延衬底的制备方法，其特征在于，所述对应凹陷部位置处的碳纳米管层中的碳纳米管贴附于所述凹陷部的底面及侧面。