[发明专利]一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺

权利要求书

1.一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，采用双面扩散，步骤如下：

（1）使用常规工艺对硅片进行表面织构，清洗和干燥；

（2）在一定温度下，将步骤（1）所得硅片采用双面扩散放置方式，放入扩散炉中，通入氮气；

（3）低温预氧化：对扩散炉进行升温，通入氧气，时间为3-10分钟；

（4）预扩散：在一定温度下，通入携带POCl3的氮气，时间为10-40分钟，进行预扩散；

（5）通氧再分布：在一定的温度下，停止通入POCl₃,通入氧气，时间是5-10分钟；

（6）高温推进扩散：切断氮气、氧气，将扩散炉温度提升，然后稳定一段时间，升温加上稳定的时间为总的推进时间，为10-40分钟；

（7）扩散过程结束，扩散炉降温，将硅片取出，制备完成。

2.根据权利要求1所述的一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤（2）中扩散炉内的温度为780-820℃。

3.根据权利要求1所述的一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤（3）中扩散炉的温度为800-840℃。

4.根据权利要求1所述的一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤（4）中预扩散的温度为800-840℃。

5.根据权利要求1所述的一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤（5）中通氧再分布的温度为800-840℃。

6.根据权利要求1所述的一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤（6）中所述扩散炉的温度提升至820-860℃。