[发明专利]一种可避免胶材溢流的封装载板有效
申请号: | 201210084482.4 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN103367264A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 溢流 装载 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装结构,特别是涉及一种封装载板,其防焊层上具有特殊的结构可避免胶材溢流。
背景技术
为了要在有限的面积中达到更高的储存容量,动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)架构开始朝向立体的堆叠式封装技术(3D stacked package)发展,此封装技术的原理在于将多个互连的存储芯片堆叠在一单一的封装载体上,如此将可在同样的面积范围内达到数倍的储存容量。
在封装工序中,会先进行一黏晶步骤将芯片黏在封装载体上,之后芯片的输出入端(I/O)须与外部的封装体电性互连,其多是透过打线接合(wire bonding)方式将芯片上的接合垫(pad)与封装载体上的接合指(finger)电性连接。在打线接合后,封装结构中尚须进行一模封工艺以填入模封材料,使得内部的芯片与外部隔绝。
现在请参照图1,其绘示出根据背景技术中一封装结构的横断面视图。如图1所示,在黏晶工序中,封装载板100预定的黏晶区域上会预先涂布一层胶材101,以将芯片黏合在载板上。对堆叠式封装技术来说,单一的黏晶区域上可以堆叠方式黏上多个芯片,如芯片102a与102b。封装载板100一般是由一内核层100a和上下两面的阻焊层100b所构成,其内部并有预先形成的导电线路,如裸露出阻焊层中的接合指104部位,以与芯片上的接合垫105打线接合。
对此黏晶工序来说,上述黏晶用的胶材101多以印刷工艺涂布在封装载板100上,故会使用流动性佳的胶材。然而,流动性胶材虽然便于印制,但却容易在工序中溢流到黏晶区域外侧,污染到裸露的接合指104部位,影响后续打线接合工序的进行以及模封材料106与封装载板100的结合。严重者甚至会造成接合线107脱离、模封材料106脱层或剥离等问题,导致电路失效。
对于上述问题,目前业界多采用芯片贴装薄膜(die attached film,DAF)的高阶封装工艺来解决,其透过直接在芯片上黏贴一层尺寸裁切成与芯片相同的黏膜来将芯片黏在载板上,不会有胶材流动的污染问题。然而,此芯片贴装薄膜工艺的成本较高,且易有掉晶问题(die lost)发生。故此,目前业界仍须改善现有的封装结构或方法,以解决习知的溢胶问题。
发明内容
有鉴于上述背景技术易发生的溢胶问题,本发明的主要目的在提供一种新颖的封装载板,其通过在封装载板的助焊层上设计出可阻挡溢胶的结构,避免溢胶流动至外侧裸露出阻焊层的接合指处。
根据本发明的优选实施例,本发明提供了一种可避免胶材溢流的封装载板,其特征在于包含一内核层与一设在所述内核层上的阻焊层。所述阻焊层具有一预定的黏晶区域,用来涂布胶材以黏合芯片、一沟渠,沿着所述预定的黏晶区域的外缘分布、一凸起屏障,沿着所述沟渠的外缘分布、以及多个接合指,设置在所述凸起屏障的外侧并从所述阻焊层中裸露出来。
本发明通过简单的工序在载板上的阻焊层形成特殊地形结构,即可使胶材无法溢流至外侧裸露的输出入端,达成发明功效,而不须使用成本较高的芯片贴装薄膜工艺。
附图说明
图1绘示出背景技术中封装结构中的胶材溢流至外侧接合指处的横断面示意图。
图2为依据本发明优选实施例所绘示的封装载板结构的部分横断面放大图。
图3绘示出依据本发明优选实施例封装载板结构阻挡胶材溢流的横断面示意图。
图4绘示出依据本发明优选实施例整个封装结构的横断面示意图。
其中,附图标记说明如下:
100 封装载板 203 黏晶区域
100a 内核层 204 接合指
100b 阻焊层 205 焊锡凸块
101 胶材 206 沟渠
102a/102b 芯片 207 凸起屏障
104 接合指 208 胶材
105 接合垫 209a/209b 芯片
106 模封材料 210 接合线
107 接合线 211 胶材
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210084482.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。