[发明专利]新型非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法

权利要求书

1.一种新型非搭接一体式电容触摸屏，其特征在于：包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、金属电极及绝缘层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区；所述的二氧化硅层厚的度为100~1000埃米，所述的五氧化二铌层的厚度为50~500埃米。

2.一种新型非搭接一体式电容触摸屏，其特征在于：包括透明基板，依次层叠于透明基板的黑色树脂层、二氧化硅层、五氧化二铌层、ITO电极、金属电极及绝缘层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区；所述的二氧化硅层厚的度为100~1000埃米，所述的五氧化二铌层的厚度为50~500埃米。

3.如权利要求1或者2所述的新型非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：所述的透明基板为厚度在0.5mm~2.0mm的化学强化玻璃基板或树脂材料基板；所述ITO电极规则结构为三角形，或条形，或椭圆形。

4.如权利要求3所述的新型非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：所述的黑色树脂层厚度为0.3μm~5μm；ITO电极层厚度为50~2000埃米；金属电极厚度为500埃米~4000埃米；绝缘层厚度为0.5~3μm。

5.如权利要求4所述的新型非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：

所述的金属电极的金属膜层为MoNb，AlNd，MoNb堆积而成的三明治结构，三者厚度按50埃米~500埃米:500埃米~3000埃米:50埃米~500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb质量比为85~95：5~15，AlNd合金材料中Al和Nd质量比为95~98：2~5。

6.如权利要求5所述的新型非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：

所述的ITO包括In₂O₃和SnO₂，其质量比为85~95：5~15。