[发明专利]碱法后制绒无死层发射极的制备工艺

权利要求书

1.一种碱法后制绒无死层发射极的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（1）损伤层的去除：将硅片放入温度为50—95℃，浓度为100—200g/L的NaOH溶液中，浸泡10—50s；

（2）低方阻扩散：将硅片放入扩散炉中，进行扩散制备低方阻为0—20ohm/sq的发射极;

（3）去除含掺杂源的硅玻璃：采用浓度为5%—15%的HF酸溶液清洗硅片，制备的结深为1000—8000nm发射极;

（4）表面碱制绒同时去除高掺杂死层发射极区：将硅片放入NaOH和IPA混合溶液中，完成表面制绒，同时去除硅片表面的死层发射极区，制备方阻为50—150ohm/sq的无死层发射极；

（5）清洗：将已去除死层的硅片，放入浓度为5—15%的HCl和浓度为2%—10%的HF酸混合溶液中清洗0.5—5分钟。

2.根据权利要求1所述的碱法后制绒无死层发射极的制备工艺，其特征在于，所述的步骤4）中，所述的NaOH和IPA溶液的温度为50—95℃，其中NaOH的浓度为0—200g/L，IPA的浓度为0-800g/L。

3.根据权利要求1所述的碱法后制绒无死层发射极的制备工艺，其特征在于，所述的硅片为单晶硅或类单晶硅。