[发明专利]电极体

说明书

技术领域

本发明涉及电极体，该电极体使用了电化学测量用传感器芯片，该电极体包括：用于测量pH或各种离子种类、电导率、氧化还原电位的测量电极等；作为计算电极电位的标准或作为电化学测量标准的标准电极；以及复合有所述测量电极的复合电极。

背景技术

在pH传感器中，有一种通过不使用以往的玻璃电极而是使用作为电化学测量用传感器芯片之一的ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistor，离子敏感场效应晶体管)芯片从而小型化了的pH传感器。例如专利文献1所记载的pH传感器，在大体为长方体形的主体宽的侧面上形成有贯通孔，使ISFET芯片的感应部从该贯通孔露出。所述的pH传感器是通过把pH传感器横放在桌子等上，并用滴管等把微量的试样液体滴入所述贯通孔内来测量pH，或者使贯通孔和ISFET芯片浸渍在液体的测量对象内使用。

此外，可以例举的有在专利文献2中记载的pH传感器200A，与上述的pH传感器相同，通过把pH传感器200A放在桌子等上，使测量对象与ISFET芯片3A的感应部接触。为了使皮肤等固体容易与ISFET芯片3A的感应部接触，并且使pH传感器200A厚度减薄，如图8的局部剖视图所示，把所述ISFET芯片3A安装成使薄基板2A的正面一侧为与测量对象物M接触的面，并且感应部在该薄基板2A的背面从贯通孔露出。在所述薄基板2A的背面，通过表面安装安装有用于获得来自所述ISFET芯片3A的输出信号的布线。在专利文献1记载的pH传感器200A中也表示了这样的结构。即，可以明确：在存在想把pH传感器200A的厚度减薄或者想容易与测量对象物M接触这样的技术问题的情况下，特别是在构成平板型pH传感器200A的情况下，使用把ISFET芯片3A安装在基板2A背面的结构。

可是，有时在探头型pH传感器200A中也使用ISFET芯片3A，所述探头型pH传感器200A的意图不是放置所述的pH传感器200A并使测量对象物M向pH传感器200A一侧移动来进行测量，其主要意图是测量者使pH传感器200A移动，并将pH传感器200A浸渍到测量对象M中或与测量对象M接触。

此外，在非专利文献1中表示了一种通过与前述相同的方法形成的pH传感器200A，该pH传感器200A的意图是在把pH传感器200A浸渍在液体的测量对象部中时防止因所述ISFET芯片3A的感应部被气泡覆盖而不能进行测量。如图9所示，该pH传感器200A的形成在棒状主体1A的前端部上的前端面S倾斜地形成，使得与该主体1A的轴向垂直的假想平面V与前端面S成45度角，在该前端面S的中央部配置有ISFET芯片3A。更具体地说，用第一密封材料61A把与所述ISFET芯片3A连接的导线L密封在所述主体1A的中心轴附近的空间中，为了使从放置在所述前端面S上的ISFET芯片3A上部引出的导线L完全绝缘，在该ISFET芯片3A周围堆满第二密封材料62A，从而形成所述前端面S。此外，在其周围的空间收容有液体16A，在所述主体1A的侧面部形成有液接部4A，该液接部4A使内部液体16A和测量对象物M电连接。由于探头型pH传感器200A无须如前所述的平板型pH传感器200A那样采用薄的结构，所以通过导线L获得来自ISFET芯片3A的输出，通过填满环氧树脂等密封材料对该导线L进行绝缘。

可是，即使是前述的pH传感器200A，也难以防止浸渍在液体中时在位于所述前端面S的ISFET芯片3A的感应部积存气泡。本发明人对为什么会产生这样的现象进行了专心研究，首先发现了下述事实：为了使与所述ISFET芯片3A连接的导线L与测量对象绝缘而堆满了密封材料，所以如图9所示，从前端面S到所述ISFET芯片3A的感应部露出的部分的孔变深了，有时应该沿着前端面S的倾斜跑掉的气泡积存在该孔中，导致不能进行测量。

专利文献

专利文献1：日本实用新型公开公报实开平7-36054号

专利文献2：日本专利公开公报特开2010-101864号

非专利文献

非专利文献1：W.OelBner et el.，Sensors and Actuators B CHEM (2004)，Encapsulation of ISFET sensor chips

发明内容

鉴于所述的问题，以本发明人首先发现的见解为基础，本发明的目的是提供一种电极体，即使在把该电极体浸在液体的测量对象中的状态下，与以往相比该电极体也能够很好地防止因气泡积存在电化学测量用传感器芯片的表面而导致不能进行测量的问题。