[发明专利]MOCVD设备的清洁方法有效
| 申请号： | 201210082876.6 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102615068A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;杜志游;孟双;朱班 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mocvd 设备 清洁 方法 | ||
1.一种MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，包括：
向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体；
利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；
将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。
2.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，将反应腔内壁的温度上升至200℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。
3.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述MOCVD设备的反应腔顶部具有气体喷淋头，所述气体喷淋头内具有喷淋头冷却装置。
4.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，在利用所述清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁的同时，所述喷淋头冷却装置内未通入液体。
5.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，在利用所述清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁的同时，所述喷淋头冷却装置内通入高温液体，使得所述喷淋头表面的温度上升至50℃～250℃。
6.如权利要求5所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述高温液体的材料为硅油、导热油、熔盐或水。
7.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述等离子体处理装置包括电感耦合等离子体处理装置和电容耦合等离子体处理装置。
8.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述等离子体处理装置的功率大于或等于1000W，利用等离子产生的热能加热反应腔内壁。
9.如权利要求1所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体至少包括用于化学清洁的第一清洁气体，所述第一清洁气体至少包括Cl元素。
10.如权利要求9所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述第一清洁气体为Cl2、HCl其中的一种或两种的组合。
11.如权利要求9所述的MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体还包括用于物理清洁的第二清洁气体，所述第二清洁气体为Ar、N2其中的一种或两种的组合。
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