[发明专利]用于在倒装芯片封装中模制下层填料的装置和方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在第一温度下，将倒装芯片衬底装载到模压件的上模具和下模具中所选择的一个中，其中，在所述倒装芯片衬底上包含至少一个倒装芯片安装的集成电路；

将所述上模具和所述下模具中的至少之一中的模制的下层填料材料覆盖在所述倒装芯片衬底上和至少一个集成电路上，同时将所述上模具和所述下模具保持在所述第一温度，所述第一温度低于所述模制的下层填料材料的熔化温度；

将所述上模具和所述下模具封闭在一起以形成密封的模腔并在所述模腔中产生真空；

将所述模制的下层填料材料的温度升高至高于所述模制的下层填料材料的熔点的第二温度，以使得所述模制的下层填料材料在所述倒装芯片衬底的上方并在至少一个倒装芯片安装的集成电路的下方流动，形成下层填料层并形成塑模层；

将所述倒装芯片衬底和所述模腔冷却至基本低于所述模制的下层填料材料的熔化温度的第三温度；以及

随后打开所述上模具和所述下模具，从而暴露所述倒装芯片衬底以用于卸载。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，装载所述倒装芯片衬底的步骤包括将所述倒装芯片衬底装载到所述下模具中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，装载所述倒装芯片衬底的步骤包括将所述倒装芯片衬底装载到所述上模具中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，升高所述温度的步骤进一步包括激活所述模压件的所述上模具和所述下模具中的加热器，所述上模具和所述下模具是导热的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，升高所述温度的步骤进一步包括激活位于所述模压件的所述上模具上方和所述下模具下方的红外线源，所述上模具和所述下模具是红外线辐射可透过的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，装载所述倒装芯片衬底的步骤进一步包括在所述上模具和所述下模具中的至少一个的部分上方提供模制剥离膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度大约为25摄氏度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三温度大约为25摄氏度。

9.一种装置，包括：

模压件，包括上模具和下模具，所述上模具和所述下模具包含红外线辐射可透过的材料；以及

红外线灯，被设置用于为所述上模具和所述下模具提供红外线辐射。

10.一种方法，包括：

将半导体衬底装载到模压件的上模具和下模具中的一个中，其中，在所述半导体衬底上包含安装有多个倒装芯片安装的集成电路，所述上模具和所述下模具处于第一温度；

将模制的下层填料层装载到所述上模具和所述下模具中的一个中，同时使所述上模具和所述下模具保持在所述第一温度，所述模制的下层填料层在所述第一温度为固态，并覆盖多个倒装芯片安装的集成电路；

封闭所述模压件的所述上模具和所述下模具，以形成含有所述半导体衬底和所述模制的下层填料层的密封腔；

向所述密封腔提供真空以产生小于大约1托的真空，同时使所述半导体衬底和所述模制的下层填料层的温度保持在所述第一温度；

将所述半导体衬底和所述模制的下层填料层加热至高于所述模制的下层填料层的熔化温度的第二温度，以使得所述模制的下层填料层在所述半导体衬底上方流动并在多个倒装芯片安装的集成电路下方形成下层填料，同时在倒装芯片安装的集成电路上方形成塑模封装层；

将所述半导体衬底冷却至基本低于所述模制的下层填料层的熔化温度的第三温度；以及

打开所述上模具和所述下模具，以用于卸载所述模压件。