[发明专利]相变存储器结构和写入相变存储器结构的方法

权利要求书

1.一种相变存储器结构，该相变存储器结构包括：

相变存储器阵列，其中该相变存储器阵列包括多行相变存储器单元，每行相变存储器单元包括多个相变存储器单元，并且每个相变存储器单元包括：

相变存储器元件，配置为存储数值；和

选择器件，连接到相变存储器元件并用于选择该相变存储器元件；

多个字线驱动电路，连接到相变存储器单元的行，其中每个字线驱动电路用于访问一行相变存储器单元；

多个位线驱动电路，连接到相变存储器单元的行和电接地，其中每个位线驱动电路用于访问每行相变存储器单元中的相变存储器单元；

源驱动电路，连接到相变存储器阵列中至少一些选择器件的源极端子和电接地；以及

电压供应电路，连接到字线驱动电路、位线驱动电路和源驱动电路。

2.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中电压供应电路是针对字线驱动电路和位线驱动电路的唯一电压供应源。

3.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中每个位线驱动电路通过位线连接到每行相变存储器单元中的相变存储器单元，并且每个位线驱动电路包括：

p沟道金属氧化物半导体晶体管，连接到电压供应电路和对应的位线；和

n沟道金属氧化物半导体晶体管，连接到电接地和对应的位线。

4.根据权利要求3所述的相变存储器结构，其中每个相变存储器单元的选择器件实施为金属氧化物半导体晶体管，以及其中每个位线驱动电路通过位线连接到每行相变存储器单元中的相变存储器单元的金属氧化物半导体晶体管的漏极端子。

5.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中每个相变存储器单元的选择器件实施为金属氧化物半导体晶体管，其中每个相变存储器单元的相变存储器元件连接到该相变存储器单元的金属氧化物半导体晶体管的源极端子和公共源线，以及其中源驱动电路包括：

p沟道金属氧化物半导体晶体管，连接到电压供应电路和公共源线；和

n沟道金属氧化物半导体晶体管，连接到地和公共源线。

6.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中每个相变存储器单元的选择器件实施为金属氧化物半导体晶体管，其中相变存储器结构包括多个源驱动电路，并且其中每个源驱动电路连接到位线上的金属氧化物半导体晶体管的源极端子和电接地。

7.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中每个相变存储器单元的选择器件实施为金属氧化物半导体晶体管，其中每个字线驱动电路连接到电接地并通过字线连接到一行相变存储器单元中的金属氧化物半导体晶体管的栅极端子。

8.根据权利要求2所述的相变存储器结构，其中相变存储器结构对选择器件的器件失配不敏感，并且其中每个相变存储器元件配置为在高阻态和低阻态之间切换。

9.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中相变存储器阵列中每个相变存储器单元的选择器件实施为金属氧化物半导体晶体管。

10.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其中相变存储器阵列的寄生电容是纹波抑制电容器，并且其中字线驱动电路中的至少一个是反相器电路。

11.一种相变存储器结构，该相变存储器结构包括：

相变存储器阵列，其中该相变存储器阵列包括多行相变存储器单元，其中每行相变存储器单元包括多个相变存储器单元，以及其中每个相变存储器单元包括：

相变存储器元件，配置为存储数值；和

选择器件，连接到相变存储器元件并用于选择该相变存储器元件；

多个字线驱动电路，连接到相变存储器单元的行，其中每个字线驱动电路用于访问一行相变存储器单元；

多个位线驱动电路，连接到相变存储器单元的行和电接地，其中每个位线驱动电路通过位线连接到每行相变存储器单元中的相变存储器单元，以及其中每个位线驱动电路包括：

p沟道金属氧化物半导体晶体管，连接到电压供应电路和对应的位线；和

n沟道金属氧化物半导体晶体管，连接到电接地和对应的位线；

源驱动电路，连接到相变存储器阵列中至少一些选择器件的源极端子和电接地；和

电压供应电路，连接到字线驱动电路、位线驱动电路和源驱动电路，其中电压供应电路是字线驱动电路和位线驱动电路的唯一电压供应源。