[发明专利]锂离子二次电池及其制造方法

权利要求书

1.一种锂离子二次电池，包括：

正极，包括：

正极集电体；以及

所述正极集电体上的正极活性物质层，该正极活性物质层包括多个单晶粒；

负极；以及

设置在所述正极和所述负极之间的电解质，

其中所述单晶粒的每一个为含锂复合氧化物，

在所述单晶粒的每一个中，b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的各个长度短，

并且所述单晶粒的每一个以所述单晶粒的每一个的b轴方向与所述正极集电体的表面相交的方式设置在所述正极集电体上。

2.根据权利要求1所述的锂离子二次电池，其中所述单晶粒的b轴方向上的各个长度为5nm以上50nm以下。

3.根据权利要求1所述的锂离子二次电池，其中所述单晶粒的每一个的b轴以60度以上90度以下的角度与所述正极集电体的表面相交。

4.根据权利要求1所述的锂离子二次电池，其中所述单晶粒中的至少一个与所述单晶粒中的至少另一个层叠。

5.根据权利要求1所述的锂离子二次电池，其中所述含锂复合氧化物具有橄榄石结构。

6.根据权利要求1所述的锂离子二次电池，其中所述含锂复合氧化物以通式LiMPO₄(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示。

7.根据权利要求1所述的锂离子二次电池，其中所述单晶粒的每一个为扁状单晶粒。

8.一种锂离子二次电池的制造方法，包括如下步骤：

将含有多个单晶粒的浆料涂在正极集电体的上表面上，其中所述单晶粒的每一个为含锂复合氧化物，并且在所述单晶粒的每一个中，b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的各个长度短；以及

以所述单晶粒的每一个的b轴与所述正极集电体的所述上表面相交的方式对所述浆料施加压力。

9.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒的b轴方向上的各个长度为5nm以上50nm以下。

10.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒的每一个的b轴以60度以上90度以下的角度与所述正极集电体的上表面相交。

11.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒中的至少一个与所述单晶粒中的至少另一个层叠。

12.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述含锂复合氧化物具有橄榄石结构。

13.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述含锂复合氧化物以通式LiMPO₄(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示。

14.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒的每一个为扁状单晶粒。

15.根据权利要求8所述的锂离子二次电池的制造方法，其中对所述浆料施加压力的所述步骤为在浆料上使辊移动的步骤。

16.一种锂离子二次电池的制造方法，包括如下步骤：

将含有多个单晶粒的浆料涂在正极集电体的上表面上，其中所述单晶粒的每一个为含锂复合氧化物，并且在所述单晶粒的每一个中，b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的各个长度短；以及

以所述单晶粒的每一个的b轴与所述正极集电体的所述上表面相交的方式对所述浆料传送振动。

17.根据权利要求16所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒的b轴方向上的各个长度为5nm以上50nm以下。

18.根据权利要求16所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒的每一个的b轴以60度以上90度以下的角度与所述正极集电体的上表面相交。

19.根据权利要求16所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述单晶粒中的至少一个与所述单晶粒中的至少另一个层叠。

20.根据权利要求16所述的锂离子二次电池的制造方法，其中所述含锂复合氧化物具有橄榄石结构。