[发明专利]一种用于沉积厚铝铜薄膜层的方法

权利要求书

1.一种用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，具体包含以下步骤：

步骤1、在第一反应腔中，在晶圆表面沉积形成一层铝铜薄膜；

步骤2、将已沉积有铝铜薄膜的晶圆传送至第二反应腔中进行冷却；该第二反应腔内的温度低于第一反应腔内的温度；

步骤3、将冷却后的晶圆重新传送至第一反应腔中，并循环若干次执行步骤1的沉积过程和步骤2的冷却过程，依次在晶圆上沉积多层铝铜薄膜，并在每次完成一层铝铜薄膜的沉积步骤后，将晶圆传送至第二反应腔内进行冷却，直至所沉积的铝铜薄膜的厚度达到目标值，即在晶圆上形成所需厚度的铝铜薄膜层；

步骤4、在所述的铝铜薄膜层的顶部沉积氮化钛薄膜。

2.如权利要求1所述的用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，所述的厚铝铜薄膜层的厚度大于等于10000A。

3.如权利要求2所述的用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，步骤1中，每次在晶圆上沉积形成的一层铝铜薄膜的厚度为4000A～12000A。

4.如权利要求3所述的用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，步骤1中，所述的第一反应腔为物理气相沉积反应腔，使用物理气相沉积方法在晶圆表面沉积形成一层铝铜薄膜。

5.如权利要求2所述的用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，步骤2中，所述的第二反应腔内的温度为0℃～100℃。

6.如权利要求5所述的用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，步骤2中，表面沉积有铝铜薄膜的晶圆每次在第二反应腔中的冷却时间是10秒～30秒。

7.如权利要求6所述的用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，步骤2中，所述的第二反应腔为物理气相沉积反应腔。