[发明专利]高密度等离子机台的预沉积方法有效
| 申请号： | 201210081665.0 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102586758A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜剑光;徐雷军;刘峰松;陆金;陈怡骏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子 机台 沉积 方法 | ||
1.一种高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；
采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。
2.根据权利要求1所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：沉积所述第一薄膜的过程中采用的气体包括硅烷、氧气和氩气。
3.根据权利要求2所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：沉积所述第一薄膜的过程中，硅烷的流量为60-100sccm；氧气的流量为100-200sccm；氩气的流量为300-500sccm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：所述第一薄膜的厚度为1-2微米。
5.根据权利要求1所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：沉积所述第二薄膜的过程中采用的气体包括硅烷、氧气和氩气。
6.根据权利要求5所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于，沉积所述第二薄膜的过程中，硅烷的流量为为60-100sccm；氧气的流量为100-200sccm；氩气的流量为50-300sccm。
7.根据权利要求1或6所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：所述第二薄膜的厚度为0.5-1.5微米。
8.根据权利要求1所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：所述第一频功率的频率为350-450千赫兹，所述第一频功率的功率为2500-3500W。
9.根据权利要求1所述的高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于：所述第二频功率的频率为13.56兆赫兹，所述第二频功率的功率为2500-3500W。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
