[发明专利]显示器件、用于制造显示器件的方法、以及SOI衬底有效
| 申请号: | 201210081386.4 | 申请日: | 2008-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN102623400A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 器件 用于 制造 方法 以及 soi 衬底 | ||
1.一种用于制造显示器件的方法,包括以下步骤:
在多个半导体衬底的每一个中形成分离层,所述多个半导体衬底每一个都具有包括一个面板尺寸的面积;
在所述多个半导体衬底中的每一个上形成键合层;
将所述多个半导体衬底键合到基板;
通过沿着所述键合层将所述多个半导体衬底中的每一半导体衬底分离,在所述基板上形成多个SOI层;
利用所述多个SOI层形成多个显示部分;以及
切割所述基板以形成多个面板形成区,所述多个面板形成区每一个包括所述多个显示部分之一。
2.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述一个面板尺寸是包括非显示部分和显示面板部分的面积。
3.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述基板是下列中的任一种:玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底、和蓝宝石衬底。
4.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述多个半导体衬底中的每一个是单晶半导体衬底。
5.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述键合层利用有机硅烷形成。
6.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述显示器件包括下列中的任一种:液晶元件、发光元件、以及电泳元件。
7.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述多个SOI层中的每一个是单晶半导体层。
8.如权利要求1所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述多个半导体衬底通过热处理一次分离。
9.一种用于制造显示器件的方法,包括以下步骤:
将半导体衬底切割成多个半导体衬底,所述多个半导体衬底每一个都具有包括一个面板尺寸的面积;
在所述多个半导体衬底的每一个中形成分离层;
在所述多个半导体衬底中的每一个上形成键合层;
将所述多个半导体衬底键合到基板;
通过沿着所述键合层将所述多个半导体衬底中的每一半导体衬底分离,在所述基板上形成多个SOI层;
利用所述多个SOI层形成多个显示部分;以及
切割所述基板以形成多个面板形成区,所述多个面板形成区每一个包括所述多个显示部分之一。
10.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述一个面板尺寸是包括非显示部分和显示面板部分的面积。
11.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述基板是下列中的任一种:玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底、和蓝宝石衬底。
12.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述半导体衬底是单晶半导体衬底。
13.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述键合层利用有机硅烷形成。
14.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述显示器件包括下列中的任一种:液晶元件、发光元件、以及电泳元件。
15.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述多个SOI层中的每一个是单晶半导体层。
16.如权利要求9所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述多个半导体衬底通过热处理一次分离。
17.一种用于制造显示器件的方法,包括以下步骤:
在半导体衬底中形成分离层;
在所述半导体衬底上形成键合层;
切割所述半导体衬底以形成多个半导体衬底,所述多个半导体衬底每一个都具有包括一个面板尺寸的面积;
将所述多个半导体衬底键合到基板;
通过沿着所述键合层将所述多个半导体衬底中的每一半导体衬底分离,在所述基板上形成多个SOI层;
利用所述多个SOI层形成多个显示部分;以及
切割所述基板以形成多个面板形成区,所述多个面板形成区每一个包括所述多个显示部分之一。
18.如权利要求17所述的用于制造显示器件的方法,其中,所述一个面板尺寸是包括非显示部分和显示面板部分的面积。
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