[发明专利]显示单元及其制造方法有效
申请号: | 201210080760.9 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN102738200A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 山田二郎;横山诚一;长谷川英史;槙田笃哉;上杉昌尚;权藤胜一;市川朋芳;山下淳一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 单元 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及一种具有有机EL(电致发光)器件的显示单元及其制造方法。
背景技术
有机EL器件具有这样一种结构:其中,第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极被顺次层积在衬底上。形成有机层的方法的实例包括一种通过使用蒸发掩膜来分别蒸镀红发光层、绿发光层和蓝发光层的方法,和一种不使用蒸发掩膜而层积红发光层、绿发光层和蓝发光层的方法。在要求具有高分辨率和改善的孔径比的显示单元中,后一种方法将来可能会成为主流。
在层积多个发光层的方法中,针对所有有机EL器件公共地配置有机层。因此,相邻有机EL器件之间通过空穴注入层会发生驱动电流泄漏。从而,非发光像素受发光像素影响会略微发光,这会导致混色和效率下降。为解决这一缺陷,例如在日本待审查专利申请公开第2009-4347号中,在有机EL器件之间的区域中形成一种倒锥形分隔壁,且之后再形成空穴注入层,从而空穴注入层被截断成多个部分。
发明内容
在日本待审查专利申请公开第2009-4347号所述的现有方法中,形成了空穴注入层之后,为了在分隔壁上形成第二电极的过程中不把第二电极截断成多个部分,要进行热处理以便使分隔壁变成正锥形。然而,有如下缺陷存在:在蒸发步骤的过程中进行热处理的情况下,特性劣化的概率更高。
期望提供一种能够抑制相邻有机EL器件之间的驱动电流泄漏而不降低特性的显示单元及其制造方法。
根据本公开的一实施方式,提供了一种显示单元,包括:位于基板上的多个有机EL器件以及配置在多个有机EL器件之间的器件间区域中的绝缘膜,该绝缘膜包括位于彼此相邻的有机EL器件之间的位置中的沟槽。
在本公开的实施方式的显示单元中,绝缘膜被配置在多个有机EL器件之间的器件间区域中。该绝缘膜在彼此相邻的有机EL器件之间的位置中具有沟槽。因此,有机层中的诸如空穴注入层和空穴输送层的具有较高导电性的层在沟槽内的厚度小于其在沟槽外的厚度,并且增大了其沟槽内的电阻。从而,抑制了彼此相邻的有机EL器件之间的驱动电流泄漏。
根据本公开的一实施方式,提供了一种显示单元制造方法,该方法包括:在基板上形成多个有机EL器件,以及在多个有机EL器件之间的器件间区域中形成绝缘膜。在绝缘膜的形成中,在绝缘膜的彼此相邻的有机EL器件之间的位置中配置沟槽。
根据本公开的实施方式的显示单元或本公开的实施方式的显示单元制造方法,绝缘膜被配置在多个有机EL器件之间的器件间区域中。沟槽被配置在绝缘膜的彼此相邻的有机EL器件之间的位置中。从而,抑制了彼此相邻的有机EL器件之间的驱动电流泄漏。并且,不需要执行现有的热处理,从而,允许特性不会劣化。
需要理解的是,无论上述一般性描述还是以下详细描述均是示例性的,并且意在提供对如权利要求所述的本技术的进一步说明。
附图说明
所包括的附图提供了对本公开的进一步理解,将这些附图合并到本说明书中并构成其一部分。附图示出了实施方式,并与说明书一同用来阐明本技术的原理。
图1是示出根据本公开第一实施方式的显示单元的结构的图。
图2是示出图1所示的像素驱动电路的一个实例的图。
图3是示出图1所示的显示区的结构的平面图。
图4是沿着图3的线IV-IV截得的截面图。
图5是在图4所示的沟槽附近的区域的经放大后的截面图。
图6是示出沟槽深度与器件间区域的薄层电阻之间的关系的图。
图7A至图7C是示出将在配置了沟槽的情况下的相邻像素的亮度的测量结果与在未配置沟槽的情况下进行对比的图。
图8A至图8C是示出图7A至图7C所示的浮置(floating)器件的情况与相邻器件被接地的情况之间的亮度差的经放大后的图。
图9是示出以所示步骤顺序制造图1所示显示单元的方法的截面图。
图10是示出图9步骤之后的步骤的截面图。
图11是示出图10步骤之后的步骤的截面图。
图12是示出图11步骤之后的步骤的截面图。
图13是示出图12步骤之后的步骤的截面图。
图14是示出图13步骤之后的步骤的截面图。
图15是示出图14步骤之后的步骤的截面图。
图16是示出根据本公开第二实施方式的显示单元中的显示区的沟槽附近的区域的经放大后的截面图。
图17是用于说明制造图16所示显示单元的方法的图。
图18是用于说明旋转式蒸发法的图。
图19是用于说明线性蒸发法的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的