[发明专利]有机发光二极管的驱动电路

说明书

技术领域

本发明是有关于一种有机发光二极管的驱动电路，尤指一种可根据数据电流，产生大于数据电流的驱动电流的有机发光二极管的驱动电路。

背景技术

请参照图1，图1为先前技术说明一种有机发光二极管的驱动电路100的示意图。如图1所示，当扫描线SL上的电压为一低电压时，因为晶体管T1与T2同时开启，所以节点A的电压(V_A)与节点B的电压(V_B)相同(亦即V_GS，T4等于0)，导致晶体管T4是为关闭。此时，可根据式(1)得到数据电流(I_DAT)：

I_DAT＝1/2*k₃*(V_A-VDD-V_TH)²            (1)

在式(1)中，VDD为晶体管T3的源极端所接收的电压，V_TH为晶体管T3的阀值电压。另外，k₃为晶体管T3的参数，亦即k₃＝μC_OX(W/L)_T3，其中μ为电荷载子的迁移率，C_OX为晶体管T3的单位面积的闸氧化层电容，以及(W/L)_T3为晶体管T3的宽长比。另外，一储存电容C会根据数据电流(I_DAT)，储存一对应的数据电压。再者，当晶体管T1与T2同时截止(亦即扫描线SL上的电压为高电压)时，流经有机发光二极管OLED的驱动电流(I_OLED)会通过晶体管T3与T4，亦即驱动电流(I_OLED)会等于电流(I₃)与电流(I₄)。因为晶体管T3是操作在线性区，所以通过晶体管T3的电流(I₃)可由式(2)决定：

I_OLED＝I₃＝k₃*[(V_A-VDD-V_TH)*(V_B-VDD)-1/2*(V_B-VDD)²]             (2)

因为，晶体管T4是操作在饱和区，所以通过晶体管T4的电流(I₄)可由式(3)决定：

I_OLED＝I₄＝k₄*1/2*(V_A-V_B-V_TH)²                                  (3)

在式(3)中，k₄为晶体管T4的参数，亦即k₄＝μC_OX(W/L)_T4，其中μ为电荷载子的迁移率，C_OX为晶体管T4的单位面积的闸氧化层电容，(W/L)_T4为晶体管T4的宽长比。另外，晶体管T3和晶体管T4的制程相同，所以晶体管T4具有和晶体管T3相同的μ和C_OX。因为电流(I₃)等于电流(I₄)，由式(2)与式(3)可产生式(4)：

I_OLED＝k₃/(k₃+k₄)*I_DAT                                          (4)

由式(4)可知，驱动电流(I_OLED)会小于数据电流(I_DAT)且与晶体管的两变异参数(阀值电压V_TH与电荷载子的迁移率(μ))无关。

发明内容