[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入方法，对离子束进行往返扫描且沿与离子束扫描方向正交的方向机械扫描晶圆来将离子注入于晶圆中，其特征在于，

利用规定了速度校正量的各个控制函数，对离子束扫描方向的射束扫描速度和机械扫描方向的晶圆扫描速度同时且独立地进行速度控制，生成用于对其他半导体制造工序的晶圆面内不均匀性进行校正的各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。

2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

当进行所述速度控制时，关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，将距晶圆中心的距离设为变量，将与其平方成比例的项与常数项的和或差设为校正量。

3.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，

关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，在离子束扫描方向和机械扫描方向上利用相同的校正量分布。

4.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

当进行所述速度控制时，关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，将距晶圆中心的距离设为变量，将根据与其平方成比例的项与常数项的和或差制作的特性函数用作所述控制函数。

5.如权利要求4所述的离子注入方法，其特征在于，

关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，在离子束扫描方向和机械扫描方向上利用相同的特性函数。

6.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

当进行所述速度控制时，关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，将距晶圆中心的距离设为变量，将与该变量成比例的项的余弦函数值的项与常数项的和或差设为校正量，并且，在离子束扫描方向和机械扫描方向上利用相同的校正量分布。

7.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

当进行所述速度控制时，关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，将距晶圆中心的距离设为变量，将根据与该变量成比例的项的余弦函数值的项与常数项的和或差制作的特性函数用作所述控制函数，并且，在离子束扫描方向和机械扫描方向上利用相同的特性函数。

8.如权利要求1至7中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

所述各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布为，在晶圆面内不存在离子注入量的角度方向依赖性的各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。

9.一种离子注入装置，将离子注入于晶圆中，具备对离子束进行往返扫描且沿与离子束扫描方向正交的方向机械扫描晶圆的控制系统，其特征在于，

所述控制系统利用规定了速度校正量的各个控制函数，对离子束扫描方向的射束扫描速度和机械扫描方向的晶圆扫描速度同时且独立地进行速度控制，生成用于对其他半导体制造工序的晶圆面内不均匀性进行校正的各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。

10.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

当进行所述速度控制时，在晶圆面内设定任意地点，将该地点当做旋转中心，关于该旋转中心生成所述各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。

11.如权利要求10所述的离子注入方法，其特征在于，

关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，

将距所设定的晶圆面内的任意地点的距离设为变量，将与其平方成比例的项与常数项的和或差设为校正量，并且，在离子束扫描方向和机械扫描方向上利用与平方成比例的项的比例常数相同的校正量分布。

12.如权利要求10所述的离子注入方法，其特征在于，

关于离子束扫描方向的射束扫描速度校正量和机械扫描方向的晶圆扫描速度校正量，

将距所设定的晶圆面内的任意地点的距离设为变量，将根据与其平方成比例的项与常数项的和或差制作的特性函数用作所述控制函数，并且，在离子束扫描方向和机械扫描方向上利用与平方成比例的项的比例常数相同的特性函数。