[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210080159.X 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102694109A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 別府 卓;乃一 拓也 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/60;H01L33/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种包含发光元件和磷光体层的发光装置,和用于制造所述发光装置的方法。

背景技术

一般来说,使用例如发光二极管(LED)等发光元件的发光装置具有电子零件,例如发光元件和保护元件、上面定位有所述元件的衬底和用于保护发光元件、保护元件和类似物的透明树脂。

已知一种技术,其中为了使得发光装置发射白光,在衬底上提供凹入部分,在凹入部分中定位用于发射蓝光的发光元件,且提供包含磷光体的透明树脂以使得磷光体覆盖凹入部分中的发光元件。在发光装置中,从发光元件输出的蓝光的一部分的波长由磷光体转换,且由波长转换引起的黄光与来自发光元件的蓝光混合,从而发射白光。然而,以此方式,难以获得均匀的白光,因为根据来自发光元件的蓝光的光径的长度差异,由磷光体吸收的蓝光的量存在差异。由于凹入部分中的透明树脂中包含的磷光体经激励而发光,因此发光区域变得较大。

另一方面,JP-A-2003-69086揭示了通过使用所谓的电沉积方法形成在发光元件上具有均匀厚度的磷光体层的方法。因此,可减少蓝光的光径的长度差异。在通过电沉积方法而具备形成于其上的磷光体层的发光装置中,发光装置可具有接近于点光源的光分布特性的光分布特性,因为磷光体层可非常靠近发光元件而形成。点光源具有的优点是使得能够容易设计点光源安装到的应用产品,因为点光源具有小的发光区域。因此,预期其用途在各种领域中的扩展,包含照明设备领域。

在电沉积方法中,通过在含有磷光体微粒沉积物的浴液中施加电场,磷光体微粒沉积在发光元件的表面上。然而,根据电沉积方法,在发光元件周围暴露的导电布线图案也被磷光体微粒覆盖。因此,从提供于发光元件的表面上的磷光体层发射的光可能由提供于发光元件周围的布线图案上的磷光体层吸收。此外,来自提供于布线图案上的磷光体层的发光可引起不均匀的发光。

JP-A-2003-69086提出在布线图案上形成光致抗蚀剂,以便防止磷光体微粒附着到布线图案上。然而,所述提议需要用于形成和移除光致抗蚀剂的额外步骤。此外,在JP-A-2003-69086中,从发光元件发射的光由发光元件周围的布线图案吸收,这降低了光提取效率。

在许多情况下,借助于冶金凸块和类似物将发光元件接合到衬底。在接合过程中,在发光元件与衬底之间产生小空间。难以用磷光体微粒完全填充发光元件与衬底之间的空间,且因此磷光体微粒的密度趋于比其它区域的密度低。因此,来自发光元件的光可能从其泄漏。

发明内容

因此,本发明的目的是提供一种具有令人满意的光提取效率且实现均匀发光的发光装置,和用于制造所述发光装置的方法。

根据本发明,一种发光装置包含:衬底,其具有导电部分;发光元件,其在其下表面侧上具有一个或一个以上电极,所述电极位于所述衬底的所述导电部分上;磷光体层,其用于覆盖所述发光元件的表面和所述导电部分的在所述发光元件旁边的外围表面区域;以及反射层,其用于覆盖所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的一部分。

所述反射层可位于低于所述发光元件的上表面处。

所述反射层优选可覆盖所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分的外端。

所述导电部分可具有围绕所述发光元件的开口,所述衬底在所述开口处暴露;所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的所述部分可通过所述开口与所述磷光体层的形成于所述发光元件的所述表面上的另一部分分离;且所述反射层可在所述开口处覆盖所述衬底的暴露区域。

所述发光元件进一步可包含发冷光层,且所述反射层可位于低于所述发冷光层处。

根据本发明,一种用于制造发光装置的方法包含:将发光元件的一个或一个以上电极连接到衬底的导电部分;形成磷光体层以覆盖所述衬底上的至少所述发光元件;以及在所述磷光体层的在所述发光元件周围的一部分上形成反射层。

可通过在所述发光元件的表面和所述导电部分的在所述发光元件旁边的外围表面区域上形成所述磷光体层来进行所述磷光体层的所述形成;且可通过在所述磷光体层的形成于所述导电部分的所述外围表面区域上的一部分上形成所述反射层来进行所述反射层的所述形成。

可通过电沉积方法或静电涂覆方法形成所述磷光体层。

可通过电沉积方法或静电涂覆方法形成所述反射层。

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