[发明专利]一种Hf基复合高k栅介质薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210079826.2 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102618828A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 余涛;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hf 复合 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a) 采用双离子束溅射沉积系统，将其本底真空调成3×10-4 ~5×10-4 Pa，工作气压调成3.0×10-2~3.2×10-2 Pa；
(b) 辅源干法清洗：将辅源通入Ar气，在清洗前期，采用离子能量为200~300eV，离子束流15~20mA进行离子轰击清洗衬底，时间为1~2min；然后将离子能量调为80~100eV，离子束流调为8~10mA，继续进行离子轰击，进一步抛光衬底表面；
(c) 辅源对衬底表面进行钝化处理：将辅源通入Ar和N的混合气体，Ar：N2为2~3：1；采用离子能量100~150eV，离子束流8~10mA，溅射衬底表面1~3min；
(d) 沉积薄膜：主源以离子能量700~800eV，离子束流45~50mA溅射靶材，辅源在薄膜沉积前30s时间里为关闭状态，30s后开启辅源，并以离子能量150~200eV，离子束流12~15mA溅射衬底；即可得到Hf基复合高k栅介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，其特征在于：在所述步骤(d)之前，先将复合靶材溅射至少5min，去除其表面污染物。
3.根据权利要求1所述的Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(d)的沉积时间3~5min。
4.根据权利要求1所述的制备方法获得的Hf基复合高k栅介质薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210079826.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
