[发明专利]垂直沟道型非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直沟道型非易失性存储器件，包括：

从半导体衬底突出的多个沟道；和

包括沿着所述沟道堆叠的多个存储单元的多个串，

其中所述串中的至少两个共享一个沟道。

2.根据权利要求1所述的垂直沟道型非易失性存储器件，其中所述沟道布置在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上，并且绝缘层埋置在沿所述第一方向布置的所述沟道之间的区域中。

3.根据权利要求1所述的垂直沟道型非易失性存储器件，其中所述沟道具有矩形柱型，并且在所述矩形柱型沟道的两侧上形成有所述共享一个沟道的两个串。

4.一种垂直沟道型非易失性存储器件，包括：

从半导体衬底突出的沟道；

包括沿着所述沟道堆叠的多个存储单元的串；和

在所述存储单元的栅电极的侧壁上的间隔物。

5.根据权利要求4所述的垂直沟道型非易失性存储器件，其中所述间隔物包括氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层。

6.一种垂直沟道型非易失性存储器件，包括：

从半导体衬底突出的沟道；和

包括沿着所述沟道堆叠的多个存储单元的串，

其中在相同层上设置的所述存储单元作为一个页面操作。

7.根据权利要求6所述的垂直沟道型非易失性存储器件，其中在相同层上设置的所述存储单元共享栅电极。

8.根据权利要求6所述的垂直沟道型非易失性存储器件，其中所述存储单元包括：

在半导体衬底上与层间介电层交替堆叠的栅电极；

埋置在多个栅电极和层间介电层内并从所述半导体衬底突出的沟道；和

在所述栅电极的所述沟道的侧壁之间设置的隧道绝缘层、电荷俘获层和电荷阻挡层，并且

沿着所述沟道堆叠的所述存储单元中的所述栅电极由埋置在所述栅电极和所述层间介电层内的栅电极隔离层隔离开。