[发明专利]太赫兹波检测装置、太赫兹滤波器、成像装置及计测装置

说明书

技术领域

本发明涉及太赫兹波检测装置、太赫兹滤波器、成像装置及计测装置。

背景技术

近些年，具有100GHz以上、30THz以下的频率的电磁波即太赫兹波受到关注。太赫兹波能够用于例如成像、分光计测等各计测、无损检测等。

作为检测该太赫兹波的太赫兹波检测器，有焦电传感器、辐射热测量器等。作为其显著的特征，可以举出对太赫兹波的高敏感度和不需要THz-TDS(Time-Domain Spectrometry：太赫兹时域光谱技术)分光分析装置之类大型且复杂的光学延迟机构的特征。

但是，仅对于焦电传感器、辐射热测量器来说，均是通过该元件中的热量的变化来检测太赫兹波的有无，因此不可能检测太赫兹波的频谱，为了进行频谱的检测，需要使用有选择性地使想要检测的规定波长的太赫兹波透过的滤波器。

已提出了使规定波长的太赫兹波通过的滤波器(例如，参照专利文献1)。该滤波器由基板和设置在基板上、且具有多个孔部的金属膜构成。通过组合该滤波器与焦电传感器或辐射热测量器，仅能够检测规定波长的太赫兹波。

但是，在所述现有的滤波器中，当针对太赫兹波的波段进行设计时，多个的孔部的间距变大，因此存在滤波器的面积会变大的缺点。

专利文献1：国际公开第08/75624号小册子

发明内容

本发明的目的在于提供相对现有技术可以实现小型化的太赫兹波检测装置、太赫兹滤波器、成像装置以及计测装置。

这样的目的通过下述的本发明来达成。

本发明的太赫兹波检测装置的特征在于，具备：滤波器，其使规定波长的太赫兹波通过；和检测部，其将通过了所述滤波器的所述规定波长的太赫兹波变换为热来进行检测，所述滤波器具备：金属层，其具有连通太赫兹波射入的入射面与所述规定波长的太赫兹波射出的出射面的多个孔部；和电介质部，其被填充于所述多个孔部，且由电介质构成，其中，所述多个孔部沿着与所述入射面的法线垂直的方向以规定间距设置。

由此，能够提供可以实现比现有装置小型化的太赫兹波检测装置。

即，在滤波器中，射入电介质部的太赫兹波通过电介质部被压缩，其波长变短。由此，能够针对比透过滤波器的规定波长的太赫兹波短的波长设计滤波器，从而能够减小滤波器的面积，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选所述滤波器具有电介质层，该电介质层设置在所述金属层的所述入射面的表面以及所述电介质部的所述入射面侧的表面，并且由电介质构成。

由此，能够更可靠地高精度地检测规定波长的太赫兹波。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选所述电介质层的相对介电常数在50以上。

由此，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选构成所述电介质层的所述电介质包含金属氧化物、金属碳化物以及金属氮化物中的至少1种。

由此，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选构成所述电介质层的所述电介质所包含的所述金属属于元素周期表的第3族、第4族以及第5族中的任意一族。

由此，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选所述电介质部的相对介电常数在50以上。

由此，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选构成所述电介质部的所述电介质包含金属氧化物、金属碳化物以及金属氮化物中的至少1种。

由此，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选构成所述电介质部的所述电介质中所包含的所述金属属于元素周期表的第3族、第4族以及第5族中的任意一族。

由此，可以实现太赫兹波长检测装置的小型化。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选所述滤波器具有设置在所述金属层的所述射出面侧的基板。

由此，滤波器的构造上的强度提高，能够使太赫兹波长检测装置的可靠性提高。

在本发明的太赫兹波检测装置中，优选所述孔部从所述入射面的法线方向俯视时的形状是圆形，当将所述圆形的直径设为d、将从所述入射面的法线方向俯视时的相邻的2个所述孔部的所述圆形的中心间距离设为s时，所述孔部被设置为满足下述式1，

0.25≤d/s＜1...(1)。

由此，能够高精度地检测规定波长的太赫兹波。